福建华清电子材料科技有限公司冯家伟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建华清电子材料科技有限公司申请的专利一种高透光率氮化铝陶瓷基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119191849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411348804.0，技术领域涉及：C04B35/581；该发明授权一种高透光率氮化铝陶瓷基板的制备方法是由冯家伟;施纯锡设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高透光率氮化铝陶瓷基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化铝陶瓷基板的制备技术领域，提供一种高透光率氮化铝陶瓷基板的制备方法，解决现有技术的氮化铝透光度不高及热导率不高的缺陷。包括以下制备步骤：1氮化铝粉末原料除氧处理；2在经过步骤1处理的氮化铝粉末放入石墨模具中，接着送入放电等离子烧结炉中进行预烧结，获得氮化铝预烧结体；预烧结的温度控制在1500‑1650℃，保温时间5‑10min，放电等离子烧结炉内压力控制在8‑15MPa；3微波烧结；4切片、研磨、抛光处理。
本发明授权一种高透光率氮化铝陶瓷基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高透光率氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤： 1氮化铝粉末原料除氧处理：将粒径为0.1-2μm的氮化铝粉末送入真空热处理装置中，进行脱氧处理，获得含氧量低于0.1wt%的氮化铝粉末； 2在经过步骤1处理的氮化铝粉末放入石墨模具中，接着送入放电等离子烧结炉中进行预烧结，获得氮化铝预烧结体；预烧结的温度控制在1500-1650℃，保温时间5-10min，放电等离子烧结炉内压力控制在8-15MPa； 3微波烧结：将所述氮化铝预烧结体送入微波炉内进行烧结，微波源功率控制在2-8kW，烧结温度控制在1500-1680℃，保温时间1-2h，升温速率为10-15℃min，在氮气气氛下进行烧结； 4切片、研磨、抛光处理； 步骤1脱氧处理的具体步骤为：在氮化铝粉末装入真空热处理容器内进行密封处理，接着进行抽真空处理，再加热至900-1200℃，保持30-60min，再冷却至室温。
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