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龙图腾网获悉福建华清电子材料科技有限公司申请的专利一种氮化铝单晶材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119082850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411207106.9，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种氮化铝单晶材料的制备方法是由冯家伟;施纯锡设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化铝单晶材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料领域，提供一种氮化铝单晶材料的制备方法，解决现有技术生产制备的氮化铝单晶材料尺寸小、质量不佳、速度慢、难以产量化的缺陷；包括以下步骤：1原料的准备：包括AlN粉末和SiC籽晶；2AlN粉末提纯处理；3TaC坩埚的制备；4SiC籽晶的固定粘结；5氮化铝单晶材料的生长。

本发明授权一种氮化铝单晶材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝单晶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、原料的准备：包括AlN粉末和SiC籽晶； S2、AlN粉末提纯处理：将AlN粉末装填在TaC坩埚内，在N2保护氛围下以150℃h的升温速度升温至1800℃，保温20-24h，自然冷却至室温，获得一次预制料；将所述一次预制料进行粉碎、研磨处理，然后装填在TaC坩埚内，在N2保护氛围下以250℃h的升温速度升温至1900℃，保温20-24h，自然冷却至室温，获得二次预制料；将所述二次预制料进行粉碎、研磨处理，再次装填在TaC坩埚内，在N2保护氛围下以250℃h的升温速度升温至2000℃，保温24-28h，自然冷却至室温，获得高纯AlN原料； S3、TaC坩埚的制备：将钽盖和钽坩埚用去离子水清洗，烘干后放置于石墨坩埚内，将石墨粉填充至完全覆盖钽坩埚，均匀用力将石墨粉压实，在N2氛围保护下以100℃h升温至2000℃保温6-8h，缓慢降温至室温，取出并擦拭干净石墨粉，用无水乙醇超声清洗15-30min，再用去离子水冲洗3-5次，烘干后获得所述TaC坩埚，所述TaC坩埚包括半球形底坩埚体和坩埚盖； S4、分别将所述TaC坩埚进行预处理、所述SiC籽晶进行表面处理，并烘干，然后将烘干后的所述SiC籽晶固定粘结在所述坩埚盖上，将所述坩埚体放置于配套的石墨坩埚中，将经步骤S2获得的所述高纯AlN原料装入所述坩埚体内，边装边压实，至所述高纯AlN原料距离坩埚体上部的坩埚口5mm处，停止装料，盖上所述坩埚盖，并盖上石墨坩埚盖； S5、氮化铝单晶材料的生长：将经步骤S4处理过的石墨坩埚在高纯N2保护氛围下，气压为60-70kPa，以10℃min的升温速度升温至1850-2020℃，保温40h，以1℃min的降温速率降温至1800℃，再以2℃min的降温速率降温至室温，获得所述氮化铝单晶材料； 其中，所述SiC籽晶为6H-SiC；所述SiC籽晶的大小为2英寸；所述AlN粉末的纯度≥99.8%； 所述固定粘结的过程为：a、将柔性石墨纸切割成与所述TaC坩埚盖尺寸一致的圆，将钽箔切割成外径与所述TaC坩埚盖尺寸一致、内径与所述SiC籽晶尺寸一致的金属钽圆环；b、将经过步骤a获得的所述柔性石墨纸、所述金属钽圆环和所述SiC籽晶的背面涂抹粘结剂；c、在N2氛围下，气压为1-1.2atm，将所述TaC坩埚体底部以5℃min的升温速度升高温度至1700-1800℃，保温5-8min，按照从上至下依次叠层的顺序，将所述SiC籽晶、金属钽圆环、柔性石墨纸、TaC坩埚盖进行粘结； 所述步骤S4中，所述预处理为：依次使用丙酮、无水乙醇和去离子水进行超声清洗；所述表面处理为：对所述SiC籽晶进行机械化学抛光，获得表面无划痕且均方根粗糙度0.2nm的SiC籽晶，然后在浓度为10-15%的稀硫酸中进行酸洗； 所述粘结剂为步骤S2获得的所述高纯AlN原料。

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