买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉芜湖协鑫集成新能源科技有限公司申请的专利一种TBC太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410792795.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种TBC太阳能电池及其制备方法是由郭祥泰;翁航;余宗保;何保杨;王佳军设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TBC太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种TBC太阳能电池及其制备方法，该制备方法涵盖两次硼扩和两次磷扩步骤，并设计了沉积第一致密隧穿氧化层、第一非致密隧穿氧化层、第二致密隧穿氧化层和第二非致密隧穿氧化层。在确保第一多晶硅层和第二多晶硅层具有高掺杂浓度的同时，第一致密隧穿氧化层和第二致密隧穿氧化层有效地阻止掺杂离子在硅基体中的扩散深度，从而提高载流子的收集效率并保持良好的钝化效果。此外，第一电极栅线嵌入第一非致密隧穿氧化层，第二电极栅线则嵌入第二非致密隧穿氧化层，接触效果好，增强了第一电极栅线和第二电极栅线对横向传输的载流子的吸收效率，与现有技术中需要将背面栅线与隧穿层之间设置适当的距离相比，工艺难度低且误差率低。

本发明授权一种TBC太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：对N型硅基体进行双面抛光，第一次硼扩形成正面PN结和背面PN结； S2：在N型硅基体的背面依次沉积第一致密隧穿氧化层、第一非致密隧穿氧化层和第一多晶硅层；第二次硼扩形成背面P型多晶硅层，并形成背面BSG层； S3：激光去除N型硅基体背面的N区与Gap区的背面BSG层； 第一次酸洗去除N型硅基体正面以及侧面形成绕扩的BSG层； 第一次碱洗去除N型硅基体背面的N区与Gap区的背面P型多晶硅层、在N型硅基体正面以及侧面形成绕扩的P型多晶硅层； 第二次酸洗去除N型硅基体正面以及侧面形成绕扩的第一非致密隧穿氧化层和第一致密隧穿氧化层、N型硅基体背面的N区与Gap区的第一非致密隧穿氧化层和第一致密隧穿氧化层； 第二次碱洗去除N型硅基体的正面PN结、N型硅基体背面的N区与Gap区的背面PN结； S4：第一次磷扩在N型硅基体正面形成正面N+层，并在N型硅基体背面的N区与Gap区形成背面N+层； S5：在N型硅基体的背面依次沉积第二致密隧穿氧化层、第二非致密隧穿氧化层和第二多晶硅层；第二次磷扩形成背面N型多晶硅层，并形成背面PSG层； S6：激光去除N型硅基体背面的P区与Gap区的背面PSG层； 第三次酸洗去除在N型硅基体正面以及侧面形成绕扩的PSG层； 第三次碱洗去除N型硅基体背面的P区与Gap区的背面N型多晶硅层、在N型硅基体正面以及侧面形成绕扩的N型多晶硅层； 第四次酸洗去除在N型硅基体正面以及侧面形成绕扩的第二非致密隧穿氧化层和第二致密隧穿氧化层、N型硅基体背面的P区与Gap区的第二非致密隧穿氧化层和第二致密隧穿氧化层； 第四次碱洗去除N型硅基体正面N+层、N型硅基体背面的Gap区的背面N+层； S7：在N型硅基体的正面、N型硅基体的背面的Gap区制绒；第五次酸洗去除N型硅基体背面的P区的背面BSG层和背面的N区的背面PSG层； S8：通过ALD方式在N型硅基体上镀氧化铝层； S9：在N型硅基体上镀正面钝化膜和背面钝化膜； S10：分别在N型硅基体的背面的P区印刷第一电极栅线、N区印刷第二电极栅线，第一电极栅线依次穿过背面钝化膜、背面氧化铝层、背面P型多晶硅层并嵌入第一非致密隧穿氧化层，第二电极栅线依次穿过背面钝化膜、背面氧化铝层、背面N型多晶硅层并嵌入第二非致密隧穿氧化层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芜湖协鑫集成新能源科技有限公司，其通讯地址为：241100 安徽省芜湖市湾沚区安徽新芜经济开发区鸠兹大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。