泉州三安半导体科技有限公司王珺获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410994651.0，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由王珺;王领威设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管，包括基板以及基板上堆叠的多层结构，多层结构从基板侧开始至少依次包括第一电连接层、绝缘层、第二电连接层、半导体发光序列，半导体发光序列从远离基板一侧开始依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电连接层至少部分与第一半导体层接触；第二电连接层与第二半导体层电连接；第一电极，通过第一电连接层与第一半导体层电连接；第二电极，通过第二电连接层与第二半导体层电连接；半导体发光序列与第一电极和第二电极位于基板的同侧；中间层，位于基板和第一电极之间，至少部分表面与第一电极接触；还包括保护金属层，所述保护金属层至少自第一电连接层一侧延伸穿过第一电连接层和绝缘层与所述中间层接触，所述保护金属层至少包括一种金属元素与第一电连接层不同。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，包括基板以及基板上堆叠的多层结构，多层结构从基板侧开始至少依次包括第一电连接层、绝缘层、第二电连接层、半导体发光序列， 半导体发光序列从远离基板一侧开始依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层； 第一电连接层至少部分与第一半导体层接触； 第二电连接层与第二半导体层电连接； 第一电极，通过第一电连接层与第一半导体层电连接； 第二电极，通过第二电连接层与第二半导体层电连接； 半导体发光序列与第一电极和第二电极位于基板的同侧； 中间层，位于基板和第一电极之间，至少部分表面与第一电极接触； 其特征在于：还包括保护金属层，所述保护金属层至少自第一电连接层一侧延伸穿过第一电连接层和绝缘层与所述中间层接触，所述保护金属层至少包括一种金属元素与第一电连接层不同。
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