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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118581442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310203610.0，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权工艺腔室及半导体工艺设备是由裴立新;黄其伟;张先鹏;史全宇;韩为鹏设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述工艺腔室包括：腔体，以及设置于腔体内的沉积环、承载盘和屏蔽件；承载盘的侧壁的靠近底端一侧设置有环绕承载盘的支撑部；沉积环承载于支撑部，沉积环包括第一拼接体和第二拼接体，且第一拼接体拼接于第二拼接体的上方；第一拼接体包括相连接的第一延伸部和第二延伸部；屏蔽件围绕第一拼接体设置，第一拼接体和屏蔽件之间限定的区域形成沉积槽；在第一拼接体与屏蔽件的相对面之间以及在第二拼接体与屏蔽件的相对面之间形成工艺气体通道；第一拼接体与承载盘之间的热膨胀系数差异小于第二拼接体与承载盘之间的热膨胀系数差异。

本发明授权工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体110，以及设置于所述腔体110内的沉积环120、承载盘130和屏蔽件140； 所述承载盘130的侧壁131的靠近底端一侧设置有环绕所述承载盘130的支撑部132； 所述沉积环120承载于所述支撑部132，所述沉积环120包括环形的第一拼接体121和环形的第二拼接体122，且所述第一拼接体121拼接于所述第二拼接体122的上方； 所述第一拼接体121包括位于所述支撑部132上且沿所述承载盘130的侧壁131的顶端向底端方向延伸的环形的第一延伸部1211和由所述第一延伸部1211底端向远离所述承载盘130的侧壁131的方向延伸的第二延伸部1212； 所述屏蔽件140围绕所述第一拼接体121设置，所述第一拼接体121和所述屏蔽件140之间限定的区域形成沉积槽124； 在所述第一拼接体121与所述屏蔽件140的相对面之间以及在所述第二拼接体122与所述屏蔽件140的相对面之间形成工艺气体通道150； 所述第一拼接体121与所述承载盘130之间的热膨胀系数差异小于所述第二拼接体122与所述承载盘130之间的热膨胀系数差异。

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