超威半导体公司斯里塞珊·斯里坎特获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利用于恢复细粒度DRAM中的常规访问性能的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118525335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280082084.0，技术领域涉及：G11C11/4096；该发明授权用于恢复细粒度DRAM中的常规访问性能的方法和装置是由斯里塞珊·斯里坎特;维格内什·阿德希娜拉亚南;贾格迪什·B·科特拉;谢尔盖·布拉戈杜罗夫设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于恢复细粒度DRAM中的常规访问性能的方法和装置在说明书摘要公布了：细粒度动态随机存取存储器DRAM包括第一存储体、第二存储体和双模式IO电路。该第一存储体包括被划分为多个晶粒的存储器阵列，每个晶粒包括行缓冲器和输入输出IO电路。该双模式IO电路耦接到该第一存储体中的每个晶粒的IO电路，并且以第一模式和第二模式操作，在该第一模式中，具有第一数据宽度的命令被路由到每个晶粒并且在每个晶粒处单独地实现，在该第二模式中，具有不同于该第一数据宽度的第二数据宽度的命令由该晶粒中的至少两者并行地实现。
本发明授权用于恢复细粒度DRAM中的常规访问性能的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种细粒度动态随机存取存储器，所述细粒度动态随机存取存储器包括： 第一存储体，所述第一存储体包括被划分为多个晶粒的存储器阵列，每个晶粒包括行缓冲器和输入输出IO电路； 第二存储体；和 双模式IO电路，所述双模式IO电路耦接到所述第一存储体中的每个晶粒的所述IO电路，所述双模式IO电路以第一模式和第二模式操作，在所述第一模式中，具有第一数据宽度的命令被路由到每个晶粒并且在每个晶粒处单独地实现，在所述第二模式中，具有不同于所述第一数据宽度的第二数据宽度的命令由所述晶粒中的至少两者并行地实现。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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