南京大学袁洪涛获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于金属氟化物超离子导体介电薄膜的场效应晶体管和逻辑器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118522773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410562399.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权基于金属氟化物超离子导体介电薄膜的场效应晶体管和逻辑器件是由袁洪涛;李泽亚;孟奎;陈朋;申艺成;黄俊伟;秦峰;邱彩玉设计研发完成，并于2024-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于金属氟化物超离子导体介电薄膜的场效应晶体管和逻辑器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于金属氟化物超离子导体介电薄膜的场效应晶体管和逻辑器件，该场效应场效应晶体管包括自下而上分布的衬底、栅电极、介电层、沟道层以及沉积在沟道层上表面的源漏电极；所述介电层为金属氟化物超离子导体薄膜，由金属氟化物超离子导体经热蒸发法制得。由于热蒸发制备的金属氟化物超离子导体薄膜具有巨大的电容耦合，因此将其作为介电层所制备的器件拥有十分优异的性能。
本发明授权基于金属氟化物超离子导体介电薄膜的场效应晶体管和逻辑器件在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，包括自下而上分布的衬底、栅电极、介电层、沟道层以及沉积在沟道层上表面的源漏电极，其特征在于，所述介电层为金属氟化物超离子导体薄膜；所述金属氟化物超离子导体薄膜的电导率为10-5-10-2Scm，低频电容为1-25μFcm2，高频电容为0.02-1μFcm2，漏电流密度小于10-5Acm2，表面粗糙度均方根小于1nm，氟空位含量为0.01％-15％； 所述金属氟化物超离子导体薄膜由金属氟化物超离子导体经热蒸发法制得； 所述热蒸发法的过程为：先将金属氟化物超离子导体进行研磨，然后将其置于热蒸发系统的加热柱上，当系统真空度达到10−5Pa以下时开始蒸镀，金属氟化物以0.2Ås-0.4Ås的速率蒸发沉积在基底表面，至厚度达到10nm-20nm，调节速率至0.8Ås-1Ås，直至达到目标厚度，在蒸镀过程中基底的温度控制在200K-600K； 所述金属氟化物超离子导体选自氟化镧，氟化铈，氟化钕，氟化钐，氟化铕，氟化钆，氟化钬，氟化铒，氟化镱，氟化钪，氟化钇，氟化钛，氟化铪，氟化锰，氟化亚铁，氟化镍，氟化锡中的一种或几种； 所述沟道层为二维半导体材料。
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