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龙图腾网获悉三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社申请的专利蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311566341.0，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法是由金贞儿;朴美贤;李轸雨;金建伶;李晓山;韩勋;李珍旭;林廷训设计研发完成，并于2019-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

本发明授权蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于蚀刻金属阻挡层和金属层的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括： 氧化剂，所述氧化剂选自于由硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸和它们的组合组成的组； 金属蚀刻抑制剂，所述金属蚀刻抑制剂包括由下面的式1表示的化合物；以及 金属氧化物增溶剂，所述金属氧化物增溶剂选自于由磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸和它们的组合组成的组， 1 其中，在式1中，R1和R2独立地为氢、C1-C10烷基、C3-C10烯基、C3-C10炔基或C1-C10烷氧基， R3为氢、氨基、C1-C10烷基氨基、C3-C10芳基氨基、C1-C10烷基、C3-C10烯基、C3-C10炔基或C1-C10烷氧基， n是等于或大于1的整数， R1、R2和R3独立地为未取代的或者取代有羟基，并且 所述金属层的蚀刻速率与所述金属阻挡层的蚀刻速率的比率范围为1.0至2.0， 其中，所述金属层包括钨、铝、铜、钼或钴中的至少一种， 其中，所述金属阻挡层包括氮化钛层、氮化钽层、氮化钨层、氮化镍层、氮化钴层或氮化铂层中的至少一种，并且 相对于所述蚀刻组合物的总重量，所述金属蚀刻抑制剂的量为0.01重量%至10重量%。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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