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龙图腾网获悉西安近代化学研究所申请的专利带氧化物过渡层的曲面石英基底表面金属膜层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117144330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310970324.7，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权带氧化物过渡层的曲面石英基底表面金属膜层的制备方法是由冯昊;龚婷;秦利军;惠龙飞;张王乐;李建国;胡逸云;李丹;房佳斌设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本带氧化物过渡层的曲面石英基底表面金属膜层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带氧化物过渡层的曲面石英基底表面金属膜层的制备方法，该方法采用原子层沉积法，在曲面石英基底表面先沉积一层氧化物作为增强结合力的过渡层，再沉积一层金属作为导电层；对沉积的过渡层和导电层进行退火后形成金属膜层。所述的过渡层的氧化物为Al2O3或TiO2；所述的导电层的金属为Pt或Ru。本发明能够解决磁控溅射制备的薄膜不均匀问题，原子层沉积制备的金属膜层在半球谐振子内壁纬度和经度方向的不均匀度小于5％。本发明的半球谐振子比表面积和纵深比低，容易实现原子层沉积镀膜批量化制备。

本发明授权带氧化物过渡层的曲面石英基底表面金属膜层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带氧化物过渡层的曲面石英基底表面金属膜层的制备方法，其特征在于，该方法采用原子层沉积法，在曲面石英基底表面先沉积一层氧化物作为增强结合力的过渡层，再沉积一层金属作为导电层；对沉积的过渡层和导电层进行退火后形成金属膜层； 所述的曲面石英基底为半球谐振陀螺中的半球谐振子； 所述的过渡层的氧化物为Al2O3或TiO2；Al2O3对应的原子层沉积的前驱体为三甲基铝和氧气；TiO2对应的原子层沉积的前驱体为四异丙醇钛和氧气； 所述的导电层的金属为Pt或Ru；Pt对应的原子层沉积的前驱体为三甲基甲基环戊二烯基铂和臭氧；Ru对应的原子层沉积的前驱体为双环戊二烯钌和氧气； 所述的过渡层的厚度为1～10nm；所述的氧化物的原子层沉积的周期数为50个周期；所述的过渡层的氧化物的原子层沉积的时序为：氧化物对应的固体前驱体注入时间10～30秒，吹扫时间30秒，氧化物对应的气体前驱体注入时间10秒，吹扫时间30秒； 所述的导电层的厚度为5～30nm；所述的金属的原子层沉积的周期数为100～500个周期；所述的导电层的金属的原子层沉积的时序为：金属对应的固体前驱体注入时间15～20秒，吹扫时间40秒，金属对应的固体前驱体注入时间30秒，吹扫时间40秒； 所述的退火的温度为500～550℃。

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