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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H—SiC基VDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210506265.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H—SiC基VDMOS器件是由陈伟中;周铸;许峰设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H—SiC基VDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有屏蔽效应的超结P柱和N‑沟道的4H‑SiC基VDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括P+多晶硅漏极、N+衬底区、P柱屏蔽区、N柱区、P‑电场终止区、二氧化硅隔离层、P+多晶硅栅电极、P+多晶硅源电极Ⅰ、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区；其中P+多晶硅漏电极、N+衬底区、N柱区、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区组成器件的导电区；N柱区和P‑电场终止区组成器件的漂移区；P柱屏蔽区和N柱区组成器件的横向超结。本发明在传统4H‑SiC基VDMOS器件基础上，在垂直漂移区引入超结结构、整体非对称结构以及N‑沟道区，提高了器件的击穿电压，大幅降低了米勒电容和反馈电容，提升了器件的动态性能，降低了沟道电阻和比导通电阻。

本发明授权一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H—SiC基VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H-SiC基VDMOS器件，其特征在于：包括P+多晶硅漏极1、N+衬底区2、P柱屏蔽区3、N柱区4、P-电场终止区5、二氧化硅隔离层6、P+多晶硅栅电极7、P+多晶硅源电极Ⅰ8、P+多晶硅源电极Ⅱ9、N-沟道区10和N+源区11； 所述P+多晶硅源电极Ⅰ8位于P柱屏蔽区3上方，与P柱屏蔽区3的零电位点相连； 所述P+多晶硅源电极Ⅱ9位于P-电场终止区5和N+源区11上方，并与P-电场终止区5和N+源区11相连； 所述P+多晶硅栅电极7位于P+多晶硅源电极Ⅰ8和P+多晶硅源电极Ⅱ9的中间，并延伸至二氧化硅隔离层6中； 所述二氧化硅隔离层6埋入P柱屏蔽区3上端，将P+多晶硅栅电极7与P柱屏蔽区3、N+源区11和N-沟道区10隔离开； 所述N-沟道区10位于N柱区4上方和P-电场终止区5左方； 所述N+源区11位于N-沟道区10上方和P-电场终止区5左方； 所述N+衬底区2位于P柱屏蔽区3和N柱区4下方； 所述P+多晶硅漏极1位于N+衬底区2下方； 所述P+多晶硅漏极1、N+衬底区2、N柱区4、P+多晶硅源电极Ⅱ9、N-沟道区10和N+源区11组成器件的导电区； 所述N柱区4和N-沟道区10组成器件的漂移区； 所述P柱屏蔽区3和N柱区4组成器件的横向超结。

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