芯盟科技有限公司洪齐元获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111266655.X，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由洪齐元设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：第一基底，包括第一面和第二面；位于第一面上具有第一凹槽和第二凹槽的第一介质结构；位于第一凹槽内的第一连接层，位于第二凹槽内的第一电极层；与第一基底第一面键合的第二基底，包括第三面和第四面，第二基底的第三面与第一基底的第一面键合；位于第三面上具有第三凹槽和第四凹槽的第二介质结构；位于第三凹槽内的第二连接层，第二连接层与第一连接层一一对应连接；位于第四凹槽内的第二电极层，第二电极层表面具有介电层，第一电极层和介电层一一对应连接，第一电极层、第二电极层和介电层构成电容结构；或者第二电极层表面不具有介电层，第一电极层和第二电极层一一对应连接。所述结构性能得到优化。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一基底，所述第一基底包括相对的第一面和第二面； 位于第一面上的第一介质结构，所述第一介质结构内具有平行排列的第一凹槽和第二凹槽，所述第一介质结构内还具有若干第五凹槽，若干所述第五凹槽连通相邻的第二凹槽； 位于第一凹槽内的第一连接层，位于第二凹槽内的第一电极层； 位于第五凹槽内的第一金属层，若干所述第一电极层通过所述第一金属层相连通； 与第一基底第一面键合的第二基底，所述第二基底包括相对的第三面和第四面，所述第二基底的第三面与第一基底的第一面相向键合； 位于第三面上的第二介质结构，所述第二介质结构内具有平行排列的第三凹槽和第四凹槽； 位于第三凹槽内的第二连接层，所述第二连接层与第一连接层一一对应连接； 位于第四凹槽内的第二电极层； 所述第一电极层和第二电极层一一对应连接，所述第二电极层、第一电极层和第一金属层构成电感结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯盟科技有限公司，其通讯地址为：314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励