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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120768251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511281811.8，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器是由杨帆;张洵颖;李臻;崔媛媛;赵晓冬设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器，涉及正交压控振荡器技术领域，用于解决现有正交压控振荡器在严苛辐射环境下抗辐射能力低，以及不具备低功耗特性的技术问题；本发明的基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器，包括第一压控振荡器、第二压控振荡器、第一尾滤波器和第二尾滤波器；第一压控振荡器和第二压控振荡器分别通过一电感与该电感的寄生电容，以及变容管形成LC谐振腔；第一尾滤波器与第一压控振荡器连接，第二尾滤波器与第二压控振荡器连接；第一尾滤波器和第二尾滤波器的两个电感耦合；第一压控振荡器和第二压控振荡器的LC谐振腔输出振荡波形，并通过其配置的晶体管对形成负阻抗，使波形恒定输出。

本发明授权一种基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种基于SOI工艺的低功耗抗辐射正交压控振荡器，其特征在于，包括： 第一压控振荡器和第二压控振荡器，分别通过一电感与该电感的寄生电容，以及变容管形成LC谐振腔，用于输出振荡波形； 以及分别通过另一电感与其寄生电容形成的第一尾滤波器和第二尾滤波器； 所述第一尾滤波器与所述第一压控振荡器连接，所述第二尾滤波器与所述第二压控振荡器连接；所述第一尾滤波器和第二尾滤波器的两个电感耦合； 所述第一压控振荡器和或第二压控振荡器的LC谐振腔输出振荡波形，并通过其配置的晶体管对形成负阻抗，补偿LC谐振腔的能量损耗，使波形恒定输出；通过第一尾滤波器和第二尾滤波器的两个电感耦合后输出正交相位； 所述第一压控振荡器通过第一电感、第一变容管和第二变容管形成LC谐振腔；所述第一电感的第一端与所述第一变容管的第一端连接；所述第一电感的第二端与所述第二变容管的第二端连接；所述第一电感的第三端与电源端连接；所述第一变容管的第二端与所述第二变容管的第一端连接；所述第一变容管的第二端与所述第二变容管的第一端均与第一控制电压端连接； 所述第一压控振荡器还包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成第一交叉耦合结构，所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管形成第二交叉耦合结构；通过所述第一交叉耦合结构和第二交叉耦合结构形成负阻抗； 所述第一NMOS晶体管的栅极端与所述第二NMOS晶体管的漏极端、第二变容管的第二端和第一电感的第二端连接；所述第一NMOS晶体管的源极端与所述第三NMOS晶体管的漏极端和第四NMOS晶体管的栅极端连接；所述第一NMOS晶体管的漏极端与所述第二NMOS晶体管的栅极端、第一变容管的第一端和第一电感的第一端连接；第二NMOS晶体管的源极端与第四NMOS晶体管的漏极端和第三NMOS晶体管的栅极端连接；所述第三NMOS晶体管的源极端与所述第四NMOS晶体管的源极端连接。

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