灿芯半导体(上海)股份有限公司钟晨峰获国家专利权
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龙图腾网获悉灿芯半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种支持RISC-V指令集的通用PMU结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120762759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511285830.8,技术领域涉及:G06F9/30;该发明授权一种支持RISC-V指令集的通用PMU结构是由钟晨峰;吴树伟设计研发完成,并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种支持RISC-V指令集的通用PMU结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种支持RISC‑V指令集的通用PMU结构,芯片设计技术领域,该通用PMU结构配置于芯片内部,包括PMU专用寄存器、SRAM控制模块、取指模块、RSICV指令集译码执行模块和通用寄存器模块;所述PMU专用寄存器控制模块用于控制取指模块的起始地址以及译码方式;本发明支持RSICV指令集的PMU的架构,通过该架构既可以解决ASIC电路不够灵活的问题,同时相对于直接使用RISC‑V的芯片核心,该架构删掉了不需要的逻辑以及功能,最大程度的减小了面积以及功耗开销;并且,该结构的PMU模块,可以作为IP,复用到多个不同项目中。
本发明授权一种支持RISC-V指令集的通用PMU结构在权利要求书中公布了:1.一种支持RISC-V指令集的通用PMU结构,其特征在于,该通用PMU结构配置于芯片内部,包括PMU专用寄存器、SRAM控制模块、取指模块、RSICV指令集译码执行模块和通用寄存器模块; 所述PMU专用寄存器控制模块用于控制取指模块的起始地址以及译码方式;PMU专用寄存器控制模块还用于唤醒源的触发,当唤醒源到来后,将转换成对应的起始信号,控制整个PMU进入上电程序; 所述SRAM控制模块在芯片处于初始上电时,将PMU专用寄存器模块和通用寄存器模块的复位内容搬运到其内部的SRAM中,用于PMU的第一次启动;搬运完成后会将PMU专用寄存器模块和通用寄存器模块的寄存器释放;当芯片启动完成后,SRAM控制模块用于存储RISC-V指令集对应的指令,当芯片处于睡眠状态之前,需要唤醒所需要的指令放置到其内部的SRAM中;当唤醒源到来后,取指模块将从指定地址进行取指进入唤醒程序; 所述RSICV指令集译码执行模块用于RSIC-V指令集的译码;同时执行对应操作,包括从通用寄存器模块取数据以及取指跳转命令;对于部分跳转命令,将对流水线进行冲刷;执行完对应操作后,若存在对应指令,RSICV指令集译码执行模块将进行电源管理控制信号的输入以及输出; 所述通用寄存器模块在芯片处于初始启动阶段时,将复位值以及默认值发送到SRAM控制模块;在芯片处于正常工作阶段时,通用寄存器模块用于缓存RSIC-V指令集运行的中间变量。
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