达波科技(上海)有限公司薛成龙获国家专利权
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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种基于Si-SiC-石墨烯衬底的POI衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511233849.8，技术领域涉及：H10N30/072；该发明授权一种基于Si-SiC-石墨烯衬底的POI衬底及其制备方法是由薛成龙;国洪晨;杨朋辉;李昕;柏文文;王含冠;朱霄;华千慧;王奇设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Si-SiC-石墨烯衬底的POI衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于Si‑SiC‑石墨烯衬底的POI衬底及其制备方法，属于POI衬底制备技术领域。该方法包括下述步骤：1对Si衬底进行分步C离子注入，得到依次包括薄膜层、注入层和余质层的晶圆注入片；2对支撑衬底进行退火修复，再进行高温加热处理，形成Si‑SiC‑石墨烯混合层；3将支撑衬底和晶圆注入片键合得到键合体；4对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离，即得POI衬底。该方法制备得到的POI衬底包括薄膜层、Si‑SiC‑石墨烯混合层和Si层，具有降低POI衬底开裂风险、减少翘曲、提高键合强度、降低生产成本的优点，推动了高性能滤波器的产业化进程。
本发明授权一种基于Si-SiC-石墨烯衬底的POI衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Si-SiC-石墨烯衬底的POI衬底的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： 1对Si衬底的表面进行分步C离子注入，得到包括第一Si层、C注入层、第二Si层的支撑衬底，所述C注入层中的C离子浓度自第二Si层向第一Si层逐渐降低，对压电晶圆进行离子注入，得到依次包括薄膜层、注入层和余质层的晶圆注入片； 2对所述支撑衬底进行退火修复，所述C注入层形成Si-SiC混合层，将支撑衬底的第二Si层去除使Si-SiC混合层暴露，再对支撑衬底进行高温加热处理使得Si-SiC混合层转变为Si-SiC-石墨烯混合层； 3将步骤2得到的支撑衬底和晶圆注入片清洗，之后将支撑衬底的Si-SiC-石墨烯混合层和晶圆注入片的薄膜层活化后键合，得到键合体； 4对所述键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离，即得POI衬底。
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