深圳市星汉激光科技股份有限公司周少丰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利抗老化激光芯片电极保护层工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749525B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511134682.X，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权抗老化激光芯片电极保护层工艺是由周少丰;丁亮;吕天健;罗军波设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗老化激光芯片电极保护层工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及电极保护层技术领域，具体地说，涉及抗老化激光芯片电极保护层工艺，其包括以下步骤：采用1号标准清洗液和2号标准清洗液对激光芯片晶圆表面进行预清洗，随后使用超纯水冲洗并在氮气气流下干燥；利用电子束蒸发系统在晶圆表面依次沉积金属电极层；沉积完成后，通过正性光刻胶进行图形化处理，并采用湿法刻蚀工艺形成电极结构；随后使用氧气等离子体对电极结构进行表面活化处理；通过旋涂法将3‑氨基丙基三乙氧基硅烷溶液涂布于电极表面，形成有机硅自组装钝化层；旋涂后进行热处理；随后在电极表面上沉积锌铝尖晶石保护层，再构建复合表面防护层；最后将电极置于氮气保护气氛中进行热退火处理，得到抗老化激光芯片电极保护层。
本发明授权抗老化激光芯片电极保护层工艺在权利要求书中公布了：1.抗老化激光芯片电极保护层工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、采用1号标准清洗液和2号标准清洗液对激光芯片晶圆表面进行预清洗；清洗后使用超纯水冲洗2次，并在氮气气流下干燥；随后采用电子束蒸发系统在晶圆表面依次沉积金属电极层； 沉积完成后，采用正性光刻胶对晶圆进行图形化处理，再使用湿法刻蚀工艺，形成电极结构； 步骤二、使用氧气等离子体对电极结构进行表面活化处理；通过旋涂法将3-氨基丙基三乙氧基硅烷溶液涂布于电极表面，形成厚度为5-10纳米的有机硅自组装钝化层；旋涂后在120℃条件下热处理10分钟； 步骤三、在步骤二处理后的电极表面上沉积锌铝尖晶石保护层；随后在锌铝尖晶石保护层上构建复合表面防护层； 步骤四、将完成保护层构建的电极置于氮气保护气氛中进行热退火处理，得到抗老化激光芯片电极保护层。
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