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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511261592.7，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法是由杜思昌;俞铭熙;王兆丰;王世宽设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法。本发明对PI结构片刻蚀时前期使用F基气体进行主刻蚀，利用OES装置抓取到PI薄膜厚度仅剩10%时，将工艺气体由F基气体切换为O2，由于O2可以与PI薄膜及PR薄膜发生燃烧反应，但与氧硅基底基本无反应，所以当工艺气体由F基气体切换为O2进行刻蚀时，PI薄膜：氧硅基底的选择比极大，可以在保证PI薄膜剩余10%H完成刻蚀的同时，不对氧硅基底进行损伤，从而保证PI结构片具有完美形貌的情况下，氧硅基底过刻极少甚至无过刻的目的，成功解决了PI结构片底层氧硅基底的过刻问题，同时也能解决微沟槽形貌问题。

本发明授权一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法，所述PI结构片从上至下依次包括PR薄膜、PI薄膜和氧硅基底，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1、向刻蚀反应腔室中通入压力为5-20mT的工艺气体，工艺气体包括F基气体及辅助气体，F基气体在TCP射频电源作用下产生F基等离子体； 步骤S2、电离产生的F基等离子体浓度控制在109-1012cm⁻3，并且在TCP射频电源的作用下形成双螺旋涡流； 步骤S3、F基等离子体形成的双螺旋涡流在Bias射频发生器的牵引作用下向PI结构片中的PI薄膜移动； 步骤S4、所述PI薄膜与F基等离子体中的带电离子体反应形成刻蚀沟； 步骤S5、OES装置抓取到所述PI薄膜的厚度仅剩10%H时，其中H为PI薄膜厚度，切换工艺气体，工艺气体切换为O2或者O2与N2的混合气体； 步骤S6、刻蚀反应腔室中的O2或者O2与N2的混合气体维持压力为5-20mT，在TCP射频电源的作用下产生O等离子体； 步骤S7、电离产生的O等离子体浓度控制在109-1012cm⁻3，并且在TCP射频电源的作用下形成双螺旋涡流； 步骤S8、O等离子体形成的双螺旋涡流在Bias射频发生器的牵引作用下向所述PI薄膜移动； 步骤S9、O等离子体与所述PI薄膜发生燃烧反应，完成剩余10%H的PI薄膜的刻蚀。

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