深圳市星汉激光科技股份有限公司周少丰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利一种半导体激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120728363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511135047.3，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种半导体激光器及制备方法是由周少丰;丁亮;吕天健;罗军波设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体激光器及制备方法，涉及激光器的技术领域。半导体激光器，包括：激光芯片，包括电解液、衬底和生长在衬底上的外延层；外延层形成波导且外延层具有两个电解槽，两个电解槽分别位于波导沿第一方向的两侧，且电解槽沿第二方向延伸，第一方向和第二方向垂直，电解液设置在电解槽内；波导沿第二方向的两端均具有反射面；电极对，包括阴极和阳极，阴极和阳极分别设置于电解槽沿第二方向的两侧，且阴极和阳极的至少部分位于电解槽内。半导体激光器通过电化学原理驱动阳离子迁移实现调谐，半导体激光器调谐响应时间100μs，比温度调谐技术快两个数量级，响应速度显著提升。
本发明授权一种半导体激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器1000，其特征在于，包括： 激光芯片100，包括电解液130、衬底110和生长在所述衬底110上的外延层120；所述外延层120形成波导125且所述外延层120具有两个电解槽120a，两个电解槽120a分别位于所述波导125沿第一方向的两侧，且所述电解槽120a沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述电解液130设置在所述电解槽120a内；所述波导125沿所述第二方向的两端均具有反射面1251； 电极对200，包括阴极210和阳极220，所述阴极210和所述阳极220分别设置于所述电解槽120a沿所述第二方向的两侧，且所述阴极210和所述阳极220的至少部分位于所述电解槽120a内。
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