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龙图腾网获悉锦州精辰半导体有限公司申请的专利一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120536890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511030681.0，技术领域涉及：C23C16/22；该发明授权一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法是由何翠翠;潘连胜;张季明;高雪冬;李庄;韩汀钰;杨睿宁;刘文涛设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及化学气相沉积技术领域，特别是涉及一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法，包括一个沉积罐，沉积罐的顶部设有进气管，沉积罐的内部设有固定筒，固定筒的外侧设有固定栓，固定筒通过固定栓与进气管的底部连接，固定筒的内部设有用于将气体中杂质进行处理的启动组件，本发明通过启动组件、刮除组件和调节组件的配合，当使用半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置时，通过传动齿轮、刮片和过滤盘的配合能够避免前驱体液体在气化过程中会产生气溶胶小颗粒或管道中未完全蒸发的原料残留颗粒会随着气体进入至设备内部导致涂层厚度不一致的情况，提高了涂层的纯度。

本发明授权一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置，包括一个沉积罐，沉积罐的顶部设有进气管，其特征在于，沉积罐的内部设有固定筒，固定筒的外侧设有固定栓，固定筒通过固定栓与进气管的底部连接，固定筒的内部设有用于将气体中杂质进行处理的启动组件，启动组件内设有过滤盘和转柱，通过过滤盘和转柱的配合能够将气体中的杂质进行拦截，过滤盘上设有配合启动组件的刮除组件，刮除组件内设有固定柱和刮片，通过固定柱和刮片的配合能够对固定筒的内壁进行清理，转柱上设有用于配合启动组件的调节组件，调节组件上设有调节片和启动条，通过调节片和启动条的配合能够对气体的喷出范围进行控制； 调节组件内设有凹槽块，凹槽块固定连接在承载条上，凹槽块上设有用于放置定位环的U形槽，定位环固定连接在定位环的U形槽中，定位环内部设有用于第二齿环连接的环槽，第二齿环插接在定位环的环槽中，且第二齿环与传动齿轮啮合，承载条远离连接块的一端固定连接有承载块，承载块上设有轴承，承载块的轴承内圈固定连接有转筒，转筒套接在转柱的外侧，转筒的外侧固定连接有连接环，连接环由一个圆环和若干个圆柱组成，连接环的圆柱部分均与第二齿环的内侧固定连接，每个连接环的圆柱部分均活动连接一个调节片，转柱的外侧固定连接有定位柱，定位柱的外侧与启动条固定连接； 每个所述调节片均环形对应分布，启动条为L形状，且启动条的数量与调节片相对应，且启动条的高度与调节片相对应，当调节片转动至与启动条对应的位置时，调节片与启动条贴合，当传动齿轮在转动时，传动齿轮转动带动啮合的第二齿环反向转动，当需要对流速进行调节时，第二齿环带动连接环转动，连接环在转动至与启动条相对应的位置时，调节片受到启动条阻挡，进而调节片沿着连接环转动至水平状态，当调节片转动至远离启动条的位置时，启动条解除对调节片上端阻拦作用，进而调节片转动至垂直状态。

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