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龙图腾网获悉无锡光未半导体材料有限公司申请的专利一种制备超高纯度无羟基二氧化硅的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120208250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510431842.0，技术领域涉及：C01B33/18；该发明授权一种制备超高纯度无羟基二氧化硅的工艺是由张之戈;李美良;姜福君;邹林峰;刘仕钰;图尔苏诺夫·库巴尼切克;阿布希诺夫·瓦迪姆设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备超高纯度无羟基二氧化硅的工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米材料技术领域，具体涉及一种制备超高纯度无羟基二氧化硅的工艺，包括S1将硅源、碱和有机修饰剂混合后加入到反应介质中，形成反应液，并对反应液进行微囊化处理，得到反应液微囊；S2在合成具有中空结构的复合框架材料的反应过程中，加入反应液微囊，经高温高压反应，得到前驱体材料；S3通过水热法，在前驱体材料表面沉积磁性四氧化三铁纳米颗粒，得到预处理前驱体材料；S4在氩气中，在振荡作用下，将预处理前驱体材料进行800‑850℃下高温处理，然后通过磁选筛分，即可得到高纯度无羟基二氧化硅。本发明中合成的二氧化硅，粒径小，结构圆润规则，分散性好，可应用于电子封装材料、机械润滑、陶瓷等行业。

本发明授权一种制备超高纯度无羟基二氧化硅的工艺在权利要求书中公布了：1.一种制备超高纯度无羟基二氧化硅的工艺，其特征在于，具体包括如下步骤： S1将硅源、碱和有机修饰剂混合后加入到反应介质中，形成反应液，并对反应液进行微囊化处理，得到反应液微囊； S2在合成具有中空结构的复合框架材料的反应过程中，加入反应液微囊，经高温高压反应，得到前驱体材料； 具体操作如下： 1以硝酸钴和2-甲基咪唑为原料，甲醇为溶剂，将二者分别溶解后，混合在一起，室温下沉淀24-30h，得到框架材料； 2以硝酸锌作为锌源，硫粉作为硫源，油胺和辛胺为溶剂，充分混合后加入框架材料，在充入氮气的密封水热反应釜中，于160-165℃下反应5-7h，得到预处理框架材料； 3将预处理框架材料分散到乙醇中，加入反应液微囊，充分搅拌后，再将硝酸镍分散到乙醇中充分搅拌，将两溶液混合后搅拌30-50min，用乙醇离心分离后，将得到的产物烘干，得到核壳结构的复合框架材料； 4将复合框架材料分散在甲醇中，加入氯化亚铁，在室温下搅拌90-120min，用甲醇离心洗涤后烘干，备用，将备用产物、2，3，6，7，10，11-六羟基三亚苯基苯与去离子水混合，经超声处理30-40min后，滴入1-甲基-2吡咯烷酮，经振荡5-10min，以及超声处理5-10min后，在85-90℃下加热24-28h，经洗涤后烘干，得到中空结构的笼型结构材料，然后在280-300℃，以及30-32MPa下，以500-800rmin振荡反应30-35h，即可得到前驱体材料； S3通过水热法，在前驱体材料表面沉积磁性四氧化三铁纳米颗粒，得到预处理前驱体材料； S4在氩气中，在振荡作用下，将预处理前驱体材料进行800-850℃下高温处理，然后通过磁选筛分，即可得到高纯度无羟基二氧化硅。

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