新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司董祖奇获国家专利权
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龙图腾网获悉新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120126527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510140998.3，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储器及电子设备是由董祖奇;李建平设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储器及电子设备，该存储器包括数字线、局部位线、存储单元、与存储单元连接的位线和字线、第一选通晶体管以及第二选通晶体管，通过构造第一选通晶体管和第二选通晶体管中的至少一个为P沟道型晶体管，相较于第一选通晶体管和第二选通晶体管均为N沟道型晶体管，可以在存储单元导通的瞬间减小位线的等效寄生电容，从而缩短了过冲电流的持续时间。
本发明授权存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括： 数字线、局部位线、呈阵列分布的存储单元以及与每个所述存储单元连接的位线和字线； 第一选通晶体管，所述第一选通晶体管的第一极与所述位线连接，所述第一选通晶体管的第二极与所述局部位线连接，所述第一选通晶体管的栅极与第一选通线连接； 第二选通晶体管，所述第二选通晶体管的第一极与所述局部位线连接，所述第二选通晶体管的第二极与所述数字线连接，所述第二选通晶体管的栅极与第二选通线连接； 其中，所述第一选通晶体管和所述第二选通晶体管中的至少一个为P沟道型晶体管。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院6号楼3层305-5；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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