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龙图腾网获悉四川和恩泰半导体有限公司申请的专利一种三维芯片的静电防护仿真方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119692270B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510086721.7，技术领域涉及：G06F30/337；该发明授权一种三维芯片的静电防护仿真方法及系统是由王建全;邓飞宇;陈克乐;王悦聪;刘耀;李保霞设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维芯片的静电防护仿真方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及静电防护仿真技术领域，具体公开了一种三维芯片的静电防护仿真方法及系统，包括以下步骤：步骤S1：收集以往进行静电防护仿真的相关数据，包括每次仿真的仿真条件参数、仿真结果以及三维芯片的硬件参数；步骤S2：对当前需要仿真的三维芯片，获取其硬件参数，并与历史数据中的硬件参数进行比较，计算相似度；选取出与当前芯片硬件参数相似度高的历史芯片数据；步骤S3：从历史数据中筛选出与当前芯片硬件参数相似的芯片的仿真条件和结果，计算这些相似条件下的通过率，并识别出通过率低于特定阈值的仿真条件作为重点考虑的仿真条件；步骤S4：根据重点仿真条件参数，对当前三维芯片进行静电防护仿真，以评估其在类似条件下的性能和可靠性。

本发明授权一种三维芯片的静电防护仿真方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种三维芯片的静电防护仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：获取静电防护仿真的历史仿真数据，所述历史仿真数据包括各次静电防护仿真的仿真条件参数和仿真结果，以及各次静电防护仿真的三维芯片的硬件参数；所述仿真条件参数包括放电电压、放电电流，所述仿真结果包括通过和不通过，所述硬件参数包括尺寸、封装材料的静电敏感度； 步骤S2：对当前三维芯片进行静电防护仿真时，获取所述当前三维芯片的硬件参数，记为当前硬件参数；将所述历史仿真数据中的三维芯片记为历史三维芯片，并将所述历史三维芯片的硬件参数记为历史硬件参数； 获取所述当前硬件参数与历史硬件参数的相似度其中Hpi表示当前三维芯片的第i个当前硬件参数，Hpi′表示历史三维芯片的第i个历史硬件参数；选取出所述相似度大于等于预设相似度阈值的历史三维芯片，记为相似三维芯片； 步骤S3：在所述历史仿真数据中选取出全部相似三维芯片，及其对应的仿真条件参数和仿真结果，并记为相似仿真条件参数和相似仿真结果；获取各相似仿真条件参数的通过率其中m为相似仿真条件参数对应的相似仿真结果为通过的次数，N为相似仿真结果的总数；选取出所述通过率低于预设通过率阈值的相似仿真条件参数，记为重点仿真条件参数； 步骤S4：根据所述重点仿真条件参数，对所述当前三维芯片进行静电防护仿真； 在步骤S2中，若存在第i个历史硬件参数在所述历史三维芯片上不存在，则直接记Hpi′＝0；若存在第i个当前硬件参数在所述当前三维芯片上不存在时，则直接记Hpi＝0。

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