北京超弦存储器研究院戴瑾获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119629989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311179672.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构结构及其制作方法是由戴瑾;邵峰设计研发完成，并于2023-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：衬底；至少一个存储单元，存储单元设置在衬底上，存储单元包括晶体管和电容器，晶体管包括沿第一方向依次设置的第一源漏极、栅极、第二源漏极，以及环绕覆盖栅极的侧壁的半导体层，第一源漏极、第二源漏极通过半导体层和栅极连接，电容器设置在第二源漏极的一侧、覆盖半导体层的部分侧面；至少一条位线，位线设置在第一源漏极的一侧、覆盖半导体层的部分侧面，位线和半导体层的接触面积小于电容器和半导体层的接触面积，减小了位线和晶体管的接触面积，减小了位线和晶体管的栅极的正对面积，从而减小了位线和晶体管的栅极之间的寄生电容，提升了晶体管的读取能力。
本发明授权半导体结构结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 至少一个存储单元，所述存储单元设置在所述衬底上，每个所述存储单元包括晶体管和电容器，所述晶体管包括沿第一方向依次设置的第一源漏极、栅极、第二源漏极，以及环绕覆盖所述栅极的侧壁的半导体层，所述第一源漏极、所述第二源漏极通过所述半导体层和所述栅极连接，所述第一方向平行于所述衬底的顶面，所述电容器设置在所述第二源漏极的一侧，所述电容器的下电极覆盖所述半导体层的部分侧面； 至少一条位线，所述位线设置在所述第一源漏极的一侧，所述位线覆盖所述半导体层的部分侧面，所述位线和所述半导体层的接触面积小于所述电容器和所述半导体层的接触面积。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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