北京航空航天大学管迎春获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种提高碳化硅晶圆减薄效率的激光改性抛光一体化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119609340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411567308.4，技术领域涉及：B23K26/00；该发明授权一种提高碳化硅晶圆减薄效率的激光改性抛光一体化方法是由管迎春;马毅设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高碳化硅晶圆减薄效率的激光改性抛光一体化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高碳化硅晶圆减薄效率的激光改性抛光一体化方法。此方法首先将晶圆置于超声振动平台上；随后设置激光慢速扫描参数使半导体晶圆在超声振动作用下进行高效改性；然后开启气流装置，设置激光抛光参数，使激光在超声振动及高速气流作用下对改性后晶圆表面进行抛光；最后通过搭配细粒径金刚石砂轮的晶圆减薄机对激光抛光后的晶圆进行磨削减薄，从而获得最终的成品样件。本方法具有简单、高效、可重复性强等优点，结合外场辅助激光改性抛光过程，可有效提高减薄效率并减少晶圆减薄成本。
本发明授权一种提高碳化硅晶圆减薄效率的激光改性抛光一体化方法在权利要求书中公布了：1.一种提高碳化硅晶圆减薄效率的激光改性抛光一体化方法，其特征在于包括如下步骤： 1将多线切割或激光剥离得到的半导体晶圆进行表面预处理，以去除表面污物，提升表面光洁度； 2将清洗干燥后的晶圆放置于超声振动装置上，设置超声振动参数； 3开启飞秒激光器，设置慢速扫描改性激光参数，开始对半导体晶圆进行加工； 4激光改性完成后，开启气流装置，设置气流参数； 5开启飞秒激光器，设置激光抛光参数，设置扫描路径，开始对改性完毕的半导体晶圆进行抛光处理，在激光改性表面基础上高效率去除激光慢扫改性过程中所产生的氧化沉积层； 6对激光抛光完毕的半导体晶圆通过金刚石细砂轮进行减薄磨削，磨削完成后得到最终成品样件。
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