深圳大学陈烁获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种无镉电子传输层、锑基硫系薄膜太阳电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119571284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411447235.5，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种无镉电子传输层、锑基硫系薄膜太阳电池及制备方法是由陈烁;叶玉傲;骆平;陈勇;梁广兴设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无镉电子传输层、锑基硫系薄膜太阳电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种无镉电子传输层、锑基硫系薄膜太阳电池及制备方法，涉及太阳电池领域，无镉电子传输层的制备方法包括如下步骤：S1、通过原子层沉积法，进行m次ZnO单分子层的循环沉积，得到第一薄膜层；S2、通过原子层沉积法，在所述第一薄膜层上进行n次SnO2单分子层的循环沉积，得到第二薄膜层；S3、重复步骤S1至步骤S2若干次，得到所述无镉电子传输层；其中，m:n＝1～6:1，所述无镉电子传输层与锑基硫系半导体形成的异质结能带排列呈现为理想的“尖峰状”构型，对应导带带阶值在0～0.4eV之间，不仅能有效抑制光生载流子在界面上的集聚和复合，还能保证高效的载流子分离和输运。
本发明授权一种无镉电子传输层、锑基硫系薄膜太阳电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锑基硫系薄膜太阳电池，其特征在于，包括衬底、依次位于所述衬底上的锑基硫系半导体光吸收层、电子传输层和窗口层，以及分别位于所述窗口层上和所述衬底上的第一电极和第二电极；所述电子传输层为无镉电子传输层，所述无镉电子传输层的制备方法包括如下步骤： S1、通过原子层沉积法，进行m次ZnO单分子层的循环沉积，得到第一薄膜层； S2、通过原子层沉积法，在所述第一薄膜层上进行n次SnO2单分子层的循环沉积，得到第二薄膜层； S3、重复步骤S1至步骤S2若干次，得到所述无镉电子传输层； 其中，m:n=1~6:1。
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