买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广州今泰科技股份有限公司申请的专利一种高强高导耐蚀抗菌合金薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119571252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411829010.6，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种高强高导耐蚀抗菌合金薄膜及其制备方法是由苏东艺;杜日昇;黄现南;肖衡设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高强高导耐蚀抗菌合金薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高强高导耐蚀抗菌合金薄膜及其制备方法，采取磁控溅射的方式在TiAlCrSi合金中掺入Ag元素，通过精确控制溅射工艺参数，在经过抛光清洗和烘干后的不锈钢基体表面制备TiAlCrSiAg合金薄膜，实现薄膜的导电性、耐腐蚀性及抗菌性能的显著提升，该方法制备的薄膜结构致密，与基体结合牢固，表现出优异的耐蚀性和抗菌能力，并且在保持较高强度的前提下，硬度降低幅度小。本发明的制备方法工艺简单，易于操作，成本较低，适用于电子器件、微机电系统和医疗器械等领域的多功能薄膜材料制备，具有较高的工业化应用潜力。

本发明授权一种高强高导耐蚀抗菌合金薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高强高导耐蚀抗菌合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：对试片基体的表面进行抛光处理，随后经过超声清洗，清洗试剂依次为丙酮、无水乙醇、去离子水，经烘干后备用； 步骤2：按照所需成分的比例，制备出Ti、Al、Cr、Si四种纯金属扇形靶材，通过拼靶的方式将各种靶材拼接成TiAlCrSi合金靶材，TiAlCrSi合金靶材的成分比例为Ti：Al：Cr：Si＝30：30：30：10； 步骤3：将步骤1处理后的试片基体置于磁控溅射装置的磁控溅射腔体中，将步骤2拼接好的TiAlCrSi合金靶材和纯度不低于99.99wt.％的Ag靶材安装在磁控溅射腔体中的相应靶位上，TiAlCrSi合金靶材采用直流电源，Ag靶材采用HiPIMS电源，随后对磁控溅射腔体进行抽真空至真空度为1.8×10-3Pa～2.7×10-3Pa，之后向磁控溅射腔体中通入氩气，对试片基体的表面进行离子刻蚀处理； 步骤4：设定TiAlCrSi合金靶材的功率为200W～240W，Ag靶材的功率为400W～500W，待磁控溅射腔体内达到预定压强后，先单独打开TiAlCrSi合金靶材沉积镀膜70min～100min，之后关闭TiAlCrSi合金靶材并持续打开Ag靶材；间隔18min～22min后打开TiAlCrSi合金靶材进行沉积镀膜18min～22min，之后关闭TiAlCrSi合金靶材；间隔12min～17min后，再次打开TiAlCrSi合金靶材沉积镀膜12min～17min后关闭TiAlCrSi合金靶材；间隔8min～11min后，再次打开TiAlCrSi合金靶材沉积镀膜8min～11min后关闭TiAlCrSi合金靶材；间隔4min～6min后，再次打开TiAlCrSi合金靶材沉积镀膜4min～6min后关闭TiAlCrSi合金靶材和Ag靶材结束镀膜； 步骤5：镀膜结束后，待磁控溅射腔体冷却至室温后，取出样品，得到高强高导耐蚀抗菌的TiAlCrSiAg合金薄膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州今泰科技股份有限公司，其通讯地址为：510000 广东省广州市经济技术开发区骏功路22号之一(1)栋201自编1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。