华进半导体封装先导技术研发中心有限公司王欢欢获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种芯片封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411643771.2，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种芯片封装结构的制备方法是由王欢欢;冯春亮设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片封装结构的制备方法。芯片封装结构的制备方法包括：在硅片一侧表面上形成多个延伸至硅片内部的孔洞；用导电材料填充孔洞，形成多个金属柱；去除部分高度的硅片，暴露出的部分金属柱作为目标金属柱，未暴露的部分金属柱作为内部金属柱；在多个目标金属柱之间的硅片表面贴装硅桥结构；在硅桥结构背向硅片的一侧和目标金属柱背向硅片的一侧形成第一重布线层；第一重布线层连接硅桥结构和目标金属柱；在第一重布线层背向硅片的一侧倒装设置多个芯片。本发明提供的芯片封装结构的制备方法可以制备高度与直径比例较高、稳定性较高的金属柱和目标金属柱，实现芯片与目标金属柱的高密度互连，提高芯片封装良率和芯片封装结构的集成度。
本发明授权一种芯片封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供硅片； 在所述硅片一侧表面上形成多个孔洞，所述孔洞延伸至所述硅片内部； 用导电材料填充所述孔洞，形成多个金属柱； 去除部分高度的所述硅片，使所述金属柱的部分高度暴露出剩余的所述硅片表面；暴露出的部分作为目标金属柱，未暴露的部分作为内部金属柱； 在多个所述目标金属柱之间的所述硅片表面贴装硅桥结构； 在所述硅桥结构背向所述硅片的一侧和所述目标金属柱背向所述硅片的一侧形成第一重布线层；所述第一重布线层连接所述硅桥结构和所述目标金属柱； 在所述第一重布线层背向所述硅片的一侧倒装设置多个芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，其通讯地址为：214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励