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龙图腾网获悉宜昌测试技术研究所申请的专利一种低频微弱磁场校准装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119556218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411743046.2，技术领域涉及：G01R35/00；该发明授权一种低频微弱磁场校准装置及方法是由程华富;覃维;陈晨;上官业欣;吴园设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低频微弱磁场校准装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低频微弱磁场校准装置及方法，装置包括磁屏蔽室、多层坡莫合金屏蔽筒、一体式铁氧体屏蔽筒、无矩线圈、分流器、低频磁场激励源、数据采集器及自动消磁器；多层坡莫合金屏蔽筒、一体式铁氧体屏蔽筒、无矩线圈、分流器、低频磁场激励源及数据采集器均位于磁屏蔽室内；一体式铁氧体屏蔽筒嵌套在多层坡莫合金屏蔽筒里面，无矩线圈放置在一体式铁氧体屏蔽筒内，用于复现微弱磁场；被校磁传感器放置在无矩线圈的工作区，二者磁轴平行；低频磁场激励源通过分流器给无矩线圈供电，数据采集器采集被校磁传感器输出信号；自动消磁器用于多层坡莫合金屏蔽筒、一体式铁氧体屏蔽筒消磁。本发明磁场噪声小、复现磁场下限低、抗外界干扰能力强。

本发明授权一种低频微弱磁场校准装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种低频微弱磁场校准方法，其特征在于，采用的低频微弱磁场校准装置包括磁屏蔽室、多层坡莫合金屏蔽筒、一体式铁氧体屏蔽筒、无矩线圈、分流器、低频磁场激励源、数据采集器及自动消磁器；多层坡莫合金屏蔽筒、一体式铁氧体屏蔽筒、无矩线圈、分流器、低频磁场激励源及数据采集器均位于磁屏蔽室内；一体式铁氧体屏蔽筒嵌套在多层坡莫合金屏蔽筒里面，无矩线圈放置在一体式铁氧体屏蔽筒内，用于复现微弱磁场；被校磁传感器放置在无矩线圈的工作区，二者磁轴平行；低频磁场激励源通过分流器给无矩线圈供电，数据采集器用于采集被校磁传感器的输出信号；自动消磁器用于多层坡莫合金屏蔽筒、一体式铁氧体屏蔽筒的消磁；校准方法步骤如下： 步骤一，将被校磁传感器放置在无矩线圈的工作区，并使被校磁传感器的磁轴与无矩线圈的磁轴平行； 步骤二，用自动消磁器给多层坡莫合金屏蔽筒、一体式铁氧体屏蔽筒进行消磁； 步骤三，用低频磁场激励源通过分流器给无矩线圈供电，在无矩线圈工作区复现校准所需的低频标准磁场； 步骤四，用数据采集器测量被校磁传感器的输出信号，所述输出信号为被校磁传感器的磁场值或电压值； 步骤五，通过比较被校磁传感器的磁场值或者电压值与无矩线圈复现的低频标准磁场值，得到被校磁传感器的磁场误差或者磁电转换系数； 步骤六，断开低频磁场激励源的输出，用数据采集器测量被校磁传感器在磁屏蔽环境中的输出信号，如果被校磁传感器输出为磁场值即为被校磁传感器的磁场噪声；如被校磁传感器输出为电压值，该电压值除以步骤五中得到的磁电转换系数，即可得到被校磁传感器的磁场噪声。

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