松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所金周获国家专利权
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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利复合负极极片、电池及用电设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411673364.6，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权复合负极极片、电池及用电设备是由金周;黄学杰;胡保平;王丕涛设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合负极极片、电池及用电设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种复合负极极片、电池及用电设备。其中，该复合负极极片包括：集流体，集流体具有多个开口于集流体表面、且底部位于集流体中的活性材料容置孔；第一活性层，第一活性层中的活性材料包括硅活性材料，硅活性材料呈纳米片状，第一活性层接触设置于集流体的表面，且至少部分硅活性材料位于活性材料容置孔中；以及，第二活性层，第二活性层包括石墨，第二活性层设置于第一活性层远离集流体的一侧，且第二活性层整体覆盖第一活性层。该结构设计有利于降低复合负极极片整体在充放电过程中的应变量，从而使得硅活性材料的粉化脱落问题得到明显改善，并使得复合负极极片具有显著较高的循环稳定性。
本发明授权复合负极极片、电池及用电设备在权利要求书中公布了：1.一种复合负极极片，其特征在于，包括： 集流体，所述集流体具有多个开口于所述集流体表面、且底部位于所述集流体中的活性材料容置孔； 第一活性层，所述第一活性层中的活性材料包括硅活性材料，所述硅活性材料呈纳米片状，所述第一活性层接触设置于所述集流体的表面，且至少部分所述硅活性材料位于所述活性材料容置孔中；以及， 第二活性层，所述第二活性层包括石墨，所述第二活性层设置于所述第一活性层远离所述集流体的一侧，且所述第二活性层整体覆盖所述第一活性层； 所述活性材料容置孔的深度为3μm~9μm； 在所述集流体中，所述活性材料容置孔的孔径为20μm~100μm； 在所述第一活性层中，所述硅活性材料的厚度为5nm~100nm，所述硅活性材料的径向尺寸为100nm~2000nm。
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