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龙图腾网获悉无锡华润安盛科技有限公司申请的专利半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311108515.9，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体结构的制造方法是由陈莉;沈堂芹;阙燕洁;潘效飞;龚平;周敢营设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括：提供引线框，引线框包括多个引脚、多个第一连接部及第二连接部；引脚通过所述第一连接部与相邻的第二连接部相连；引脚包括相对的第一表面和第二表面；形成包括引线框、芯片及塑封层的塑封结构，芯片朝向第一表面，塑封层包封芯片及引线框，第二表面露出塑封层；在第二连接部及与其相连的引脚之间形成凹槽，各引脚朝向与其相连的第一连接部的侧面至少部分被凹槽暴露，第二连接部背离芯片的表面的至少部分被塑封层覆盖；在引线框露出的表面形成焊料层；沿切割道对得到的结构进行切割，将第二连接部去除；切割道在第一表面所在平面上的正投影落在凹槽在平面上的正投影内。

本发明授权半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供引线框，所述引线框包括多个引脚、多个第一连接部及第二连接部；所述引脚通过所述第一连接部与相邻的所述第二连接部相连；所述引脚包括相对的第一表面和第二表面； 形成塑封结构，所述塑封结构包括所述引线框、芯片及塑封层，所述芯片朝向所述第一表面，所述塑封层包封所述芯片及所述引线框，所述第二表面露出所述塑封层； 在所述第二连接部及与其相连的所述引脚之间形成凹槽，各所述引脚朝向与其相连的所述第一连接部的侧面至少部分被所述凹槽暴露，所述第二连接部背离所述芯片的表面的至少部分被所述塑封层覆盖，且所述第二连接部背离所述芯片的表面被所述塑封层覆盖的区域的长度等于所述第二连接部的长度； 在所述引线框露出的表面形成焊料层； 沿切割道对得到的结构进行切割，将所述第二连接部去除，得到至少一个半导体结构，所述半导体结构包括至少一个所述芯片；所述切割道在所述第一表面所在平面上的正投影落在所述凹槽在所述平面上的正投影内。

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