江苏能华微电子科技发展有限公司武乐可获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏能华微电子科技发展有限公司申请的专利一种级联型GaN功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510088556.9，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种级联型GaN功率器件是由武乐可;李亦衡;朱廷刚设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种级联型GaN功率器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种级联型GaN功率器件，涉及半导体技术领域。该级联型GaN功率器件包括：GaN器件、SiMOS管和电阻；GaN器件的源极与SiMOS管的漏极连接；GaN器件的栅极与电阻的一端连接；电阻的另一端与SiMOS管的源极连接；GaN器件的漏极作为级联型GaN功率器件的漏极；SiMOS管的栅极作为级联型GaN功率器件的栅极；SiMOS管的源极作为级联型GaN功率器件的源极。本申请结构简单，且能改善EMI特性。
本发明授权一种级联型GaN功率器件在权利要求书中公布了：1.一种级联型GaN功率器件，其特征在于，所述级联型GaN功率器件包括：GaN器件、SiMOS管和电阻； GaN器件的源极与SiMOS管的漏极连接；GaN器件的栅极与电阻的一端连接；电阻的另一端与SiMOS管的源极连接；GaN器件的漏极作为级联型GaN功率器件的漏极；SiMOS管的栅极作为级联型GaN功率器件的栅极；SiMOS管的源极作为级联型GaN功率器件的源极； 电阻是靠AlGaN势垒层与GaN沟道层异质结形成的二维电子气构成的，电阻、电阻电极、GaN器件的栅极这三个区域是非注入区；注入区是指采用离子注入的方式，破坏下方的二维电子气，从而使所在区域变成绝缘区域； 电阻电极和GaN器件的栅极，将电阻连起来；另一电阻电极与SiMOS管的源极连接；所述电阻用于减慢GaN器件的开通时间； 电阻的阻值在3欧姆-20欧姆之间。
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