娄底市鑫伟达金属材料有限公司胡卫国获国家专利权
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龙图腾网获悉娄底市鑫伟达金属材料有限公司申请的专利陶瓷继电器壳体二次金属化电镀镍预处理工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119506994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411832658.9，技术领域涉及：C25D5/12；该发明授权陶瓷继电器壳体二次金属化电镀镍预处理工艺是由胡卫国设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本陶瓷继电器壳体二次金属化电镀镍预处理工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种陶瓷继电器壳体二次金属化电镀镍预处理工艺，包括以下步骤：S1前处理：用微蚀溶液在壳体表面进行浸泡微蚀，形成金属粗糙面；S2活化：经S1处理的壳体用酸浸泡活化；S3预镀镍：在预镀镍溶液中对S2处理的壳体进行预镀处理；S4软镍电镀：在镀镍体系中进行镀镍。通过在进行常规电镀前进行预处理，镀上一层深镀能力强的有致密性的镍层，有效解决后续焊接起泡问题。
本发明授权陶瓷继电器壳体二次金属化电镀镍预处理工艺在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷继电器壳体二次金属化电镀镍预处理工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1前处理：用微蚀溶液在壳体表面进行浸泡微蚀，形成金属粗糙面； S2活化：经S1处理的壳体用酸浸泡活化； S3预镀镍：在预镀镍溶液中对S2处理的壳体进行预镀处理； 所述预镀镍溶液中，硫酸镍浓度为20~30mlL；二甲氨基硼烷浓度为1~5mlL；三水合柠檬酸钠浓度为15~30mlL；一水合柠檬酸浓度为7~15mlL；乙酸钠浓度10~20mlL；硼酸浓度为10~15mlL；聚乙二醇浓度为0.5~1mlL；KI浓度为0.5~1.5mlL；和KIO3浓度为2~5mlL； 所述预镀镍溶液的pH为7.8~8.8，采用氨水调节溶液的pH； 所述预镀处理的温度为40~60℃；所述预镀的电流为0.5~1A，时间为5~10s； 所述预镀处理后所得壳体表面负载镍的负载量为0.5~2.0dm2L，所述预镀处理后所得壳体表面镍的沉积率为1~10umh，所述预镀处理后所得壳体表面镍层的厚度控制在0.5~1.0um； S4软镍电镀：在镀镍体系中进行镀镍。
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