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龙图腾网获悉娜美半导体有限公司;深圳市迪浦电子有限公司申请的专利具有改进的终端结构的屏蔽栅沟槽式功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311311879.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有改进的终端结构的屏蔽栅沟槽式功率器件是由徐琳设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有改进的终端结构的屏蔽栅沟槽式功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅沟槽与终端沟槽分隔开的屏蔽栅沟槽式MOSFETs，其中，第一类型体区形成于有源区内，第一类型电场降低区形成于第一终端沟槽与栅沟槽的沟槽末端之间交叉区域的相邻区域；第一类型电场降低区形成于第一类型体区和第一终端沟槽之间，且第一类型电场降低区内并无第一类型体区的存在，以增强击穿电压。在第一类型电场降低区内，形成至少一个具有悬浮电压、具有第二导电类型的第二类型体区，所述第二类型体区与第一类型体区、第一终端沟槽分隔开以进一步增强击穿电压。

本发明授权具有改进的终端结构的屏蔽栅沟槽式功率器件在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽式SGT器件，包括： 一个有源区，包括：多个沿第一轴向的栅沟槽，形成于具有第一导电类型的外延层内，所述外延层沿第一轴向位于具有所述第一导电类型的衬底之上，并被具有所述第一导电类型的第一类型源区所包围，所述第一类型源区位于具有第二导电类型的第一类型体区中，并接近具有所述第一导电类型外延层的上表面，其中，每个所述的栅沟槽内部沿所述第一轴向都包括一个栅极和一个屏蔽栅极；所述屏蔽栅极与所述外延层间通过第一绝缘层实现绝缘，所述栅极与所述外延层间通过栅氧化层实现绝缘，所述屏蔽栅极与所述栅极间通过多晶硅间氧化层IPO实现绝缘，所述栅氧化层围绕所述栅极，且所述栅氧化层的厚度小于所述第一绝缘层； 一个终端区，包括：至少一个终端沟槽，其沿第一轴向和第二轴向围绕所述的多个栅沟槽的外部周围，其中，所述第一轴垂直于所述第二轴，所述的至少一个终端沟槽与所述的多个栅沟槽分隔开；一个终端沟槽场板，位于所述的至少一个终端沟槽内，所述终端沟槽场板与所述外延层间通过第二绝缘层实现绝缘并通过源金属连接至所述第一类型源区和所述第一类型体区； 一个第一类型电场降低区，形成于位于所述有源区的所述第一类型体区与沿所述第二轴的所述至少一个终端沟槽之间，且包括至少一个具有悬浮电压、具有所述第二导电类型的第二类型体区；且所述的至少一个第二类型体区与所述的第一类型体区以及所述的至少一个终端沟槽沿所述第二轴向都分隔开； 一个氧化层电荷平衡OCB区，形成于两相邻的所述栅沟槽之间、所述第一类型体区下方且位于所述屏蔽栅极的底部上方； 一个缓冲区，沿所述第一轴向形成于所述衬底和所述氧化层电荷平衡区之间； 位于所述氧化层电荷平衡区的所述外延层，具有多阶梯外延层结构，其掺杂浓度沿所述第一轴向上的栅沟槽侧壁、自所述屏蔽栅极的底部至所述体区方向呈阶梯式递减，其中每个所述的多阶梯外延层都具有均匀的掺杂浓度； 位于所述缓冲区的所述外延层，其掺杂浓度低于位于所述氧化层电荷平衡区的每个所述多阶梯外延层； 一个具有所述第一导电类型的第二类型电场降低区，其围绕位于所述有源区的每个所述栅沟槽的底部周围，且所述第二类型电场降低区的掺杂浓度低于位于所述衬底之上、所述多阶梯外延层的底部第一外延层； 一个具有所述第二导电类型的第三类型电场降低区，其围绕位于所述终端区的所述至少一个终端沟槽的底部周围。

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