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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410948337.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置是由李军辉设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种存储装置及其制造方法、半导体装置，存储装置包括：衬底，包括绝缘表面；存储单元阵列，包括设于绝缘表面上的多个存储单元，多个存储单元沿第一水平方向、第二水平方向和垂直方向重复地布置，第一水平方向与第二水平方向相交；每个存储单元包括一个晶体管，晶体管包括栅极绝缘层、栅极结构和与绝缘表面平行的有源层，栅极结构包括栅极主体部，栅极主体部包括第一栅极，第一栅极沿有源层的侧壁延伸，栅极绝缘层位于第一栅极与有源层之间；公共源极结构和位线结构，位线结构包括多条沿第一水平方向延伸的位线，有源层包括连接于公共源极结构的源极端和连接于一位线的漏极端。本申请的存储装置的存储密度高，制备工艺简单。

本发明授权存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，其特征在于，包括： 衬底，包括绝缘表面； 存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置于所述绝缘表面上的多个存储单元，所述多个存储单元沿第一水平方向、第二水平方向和垂直方向重复地布置，所述第一水平方向与所述第二水平方向相交； 每个所述存储单元包括一个晶体管，所述晶体管包括有源层、栅极绝缘层和栅极结构，所述栅极结构包括栅极主体部，所述栅极主体部包括第一栅极，所述有源层与所述绝缘表面平行，所述第一栅极沿所述有源层的侧壁延伸，所述栅极绝缘层位于所述第一栅极与所述有源层之间； 所述存储装置还包括公共源极结构和位线结构，所述位线结构包括多条位线，每条所述位线沿所述第一水平方向延伸，所述有源层包括源极端和漏极端，所述源极端连接于所述公共源极结构，所述漏极端连接于一所述位线； 其中，在所述垂直方向上相邻的多个所述存储单元形成存储单元堆叠，所述存储单元堆叠中，所述栅极结构在所述衬底的正投影重叠； 多个所述存储单元堆叠包括第一存储单元堆叠和第二存储单元堆叠，所述第一存储单元堆叠和所述第二存储单元堆叠在第一水平方向上相邻而形成存储单元堆叠组，一所述存储单元堆叠组中，所述第一存储单元堆叠的所述第一栅极与所述第二存储单元堆叠的所述第一栅极相对设置； 所述栅极结构还包括导体部，所述导体部包括与所述第一栅极形成为一体的第一导体部，在所述衬底的正投影上，所述第一导体部位于所述第一栅极远离所述有源层一侧，且所述第一导体部位于所述第一栅极的水平两端； 在至少一组相邻的所述第一存储单元堆叠和所述第二存储单元堆叠的所述栅极结构之间，自所述第一存储单元堆叠的所述栅极结构指向所述第二存储单元堆叠的栅极结构的方向上，依次形成有第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层材料相同； 所述第一绝缘层和所述第三绝缘层分别接触所述第一存储单元堆叠和所述第二存储单元堆叠的所述栅极主体部，所述第二绝缘层设置在所述第一存储单元堆叠和所述第二存储单元堆叠中相对的所述导体部之间且接触所述第一存储单元堆叠和所述第二存储单元堆叠的所述导体部。

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