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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310969082.X，技术领域涉及：H01L21/223；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由胡建正;汪洋;刘英斌;王文;郭世平设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体的形成方法包括一反应器和一衬底，所述反应器包含反应区域和与反应区域相连通的第一气体分布腔和第二气体分布腔，通过第一气体分布腔向反应区域内通入第一反应气体，通过第二气体分布腔向反应区域内通入第二反应气体，所述第一反应气体和第二反应气体在衬底上进行P型层生长；所述第一反应气体至少包含V族前驱物和第一载气，所述第二反应气体至少包含P型掺杂前驱物、III族前驱物和第二载气。本发明通过调节第二载气相对于第一反应气体的相对流速或相对密度，使得第二反应气体传输速度更快，传输方向不易改变，P型层中P型掺杂离子的掺杂浓度提升，掺杂更均匀，进而提高半导体器件的性能。

本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一反应器，所述反应器包含反应区域和位于所述反应区域顶部的气体喷淋头，所述气体喷淋头包括上下叠放的第一气体分布腔和第二气体分布腔，所述第一气体分布腔和第二气体分布腔分别与所述反应区域相连通； 提供一衬底，置于所述反应区域内； 通过所述第一气体分布腔向所述反应区域内通入第一反应气体，通过所述第二气体分布腔向所述反应区域内通入第二反应气体，所述第一反应气体和第二反应气体在所述衬底上进行P型层生长； 其中，所述第一反应气体至少包含V族前驱物和第一载气，所述第一气体分布腔输出的第一反应气体具有第一密度和第一流速，所述第二反应气体至少包含P型掺杂前驱物、III族前驱物和第二载气，P型掺杂前驱物用于提供P型掺杂离子，所述第二气体分布腔输出的第二载气具有第二密度和第二流速，所述第二密度大于第一密度，所述第二流速大于第一流速，所述第二密度与第一密度的比值为第二载气的相对密度，所述第二流速与第一流速的比值为第二载气的相对流速； 通过调节所述第二载气的相对流速或相对密度大小，使得所述P型层中P型掺杂离子的掺杂浓度提升。

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