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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利鳍式场效晶体管的单扩散隔离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411361101.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权鳍式场效晶体管的单扩散隔离方法是由邱靖尧;郑名廷设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本鳍式场效晶体管的单扩散隔离方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种鳍式场效晶体管的单扩散隔离方法，包括：于衬底上形成环形半导体鳍体；通过刻蚀工艺在环形半导体鳍体中形成单扩散隔离沟槽以隔离出多个半导体鳍体单元；于半导体鳍体单元的顶面、四周侧面和衬底表面形成保护层；通过刻蚀去除所需切除的半导体鳍体单元，去除第二光刻掩膜并对半导体鳍体单元进行清洗；通过刻蚀去除半导体鳍体单元的边缘；去除保护层；在衬底上沉积绝缘介质层；对绝缘介质层进行平坦化处理。本发明可以确保整个芯片上鳍体结构的均匀性和一致性，提高芯片的整体性能。同时，通过本发明的制造流程，可以避免衬底表面存在鳍体区域和非鳍体区域而导致边界光刻胶高度差的问题，减少制造过程中缺陷的产生，提高产品的良率。

本发明授权鳍式场效晶体管的单扩散隔离方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效晶体管的单扩散隔离方法，其特征在于，所述单扩散隔离方法包括： 提供衬底，于所述衬底上形成环形半导体鳍体； 在所述环形半导体鳍体上通过第一光刻掩膜定义单扩散隔离沟槽区域，并通过刻蚀工艺在所述半导体鳍体中形成单扩散隔离沟槽以隔离出多个半导体鳍体单元，去除所述第一光刻掩膜； 于所述半导体鳍体单元的顶面、四周侧面和所述半导体鳍体单元之间的衬底表面形成保护层； 通过第二光刻掩膜定义出所需切除的半导体鳍体单元区域，并通过刻蚀去除所需切除的半导体鳍体单元，去除所述第二光刻掩膜并对所述半导体鳍体单元进行清洗； 通过第三光刻掩膜定义出所需切除的半导体鳍体单元边缘区域，并通过刻蚀去除所需切除的半导体鳍体单元边缘，以形成多个独立的半导体鳍体条，去除所述第三光刻掩膜并对所述半导体鳍体条进行清洗； 去除所述保护层； 在所述衬底上沉积绝缘介质层，所述绝缘介质层至少填充相邻半导体鳍体条之间的间隙和所述单扩散隔离沟槽并覆盖于所述半导体鳍体条上； 对所述绝缘介质层进行平坦化处理。

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