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龙图腾网获悉北京卫星制造厂有限公司申请的专利一种具有新型空穴抽出结构的IGBT元胞获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411544154.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种具有新型空穴抽出结构的IGBT元胞是由胡鲲;陈滔;陈庆;张明华;飞景明;张彬彬;隋淞印;李炎;王贺;张至愚;袁宝岭;李海阔;王君;李岩;刘国玲设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有新型空穴抽出结构的IGBT元胞在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有新型空穴抽出结构的IGBT元胞。通过在沟槽两侧引入交替分布的低掺杂N型埋层和低掺杂P型埋层，N型埋层的浓度刚好与相邻两个P型区域形成阈值电压接近0的积累型PMOS。在器件关断时，垂直方向上的PMOS开启形成一条垂直的空穴通路，连接了所有的P型埋层和Pbody。该通路将传统IGBT空穴抽出通路的一个较高的势垒转化为了数个较低的势垒，提高了空穴抽出通路在能量变化上的平滑性，提高了抽出速度。垂直方向上的多个P型埋层以及反型沟道形成了一个梳状的空穴抽出结构，该结构的面积远大于传统IGBT元胞结构，提高空穴抽出速率。相对于传统IGBT元胞，本发明的关断速度更快、关断损耗更低。

本发明授权一种具有新型空穴抽出结构的IGBT元胞在权利要求书中公布了：1.一种具有新型空穴抽出结构的IGBT元胞，其特征在于，包括发射极金属电极11和集电极金属电极12；发射极金属电极11和集电极金属电极12之间设置有低掺杂N型漂移区1、中掺杂P型Pbody区2、氧化物隔离层9和P型重掺杂集电极10；氧化物隔离层9位于中掺杂P型Pbody区2和发射极金属电极11之间，P型重掺杂集电极10位于低掺杂N型漂移区1和集电极金属电极12之间； 在中掺杂P型Pbody区2的靠近发射极金属电极11的一侧，通过在中掺杂P型Pbody区2中进行离子注入形成欧姆接触层，欧姆接触层与氧化物隔离层9和发射极金属电极11均接触；欧姆接触层包括重掺杂N型发射极3和重掺杂P型Pbody欧姆接触区4；在欧姆接触层中，重掺杂P型Pbody欧姆接触区4位于重掺杂N型发射极3的外围； 在低掺杂N型漂移区1的背离集电极金属电极12的一侧，通过在低掺杂N型漂移区1中进行离子注入形成至少一组埋层，每组埋层包括一层轻掺杂N型埋层5和一层轻掺杂P型埋层6；当埋层组数为多组时，轻掺杂N型埋层5和轻掺杂P型埋层6交替设置，N型埋层的掺杂浓度被配置为使其与相邻两个P型区域形成阈值电压接近0的积累型PMOS；低掺杂N型漂移区1中最远离集电极金属电极12的埋层为轻掺杂N型埋层5； IGBT元胞还包括栅氧化层7和多晶硅栅极8；通过在低掺杂N型漂移区1、中掺杂P型Pbody区2刻蚀沟槽，以使得沟槽穿过重掺杂N型发射极3、中掺杂P型Pbody区2，并穿过低掺杂N型漂移区1中所有埋层；栅氧化层7设置在沟槽的内壁，并包裹在多晶硅栅极8的外周。

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