湖北江城芯片中试服务有限公司汪松获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北江城芯片中试服务有限公司申请的专利一种封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411520565.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种封装结构及其制备方法是由汪松;王逸群;孙远;汪泽设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、第一芯片和至少一层堆叠层；每一堆叠层包括转接板结构和至少一个芯片连接结构，至少一个芯片连接结构和转接板结构沿第二方向放置；芯片连接结构包括第二芯片和第一重布线层，第一重布线层靠近芯片连接结构的第一表面；转接板结构包括第二重布线层和至少一个导电柱，第二重布线层靠近转接板结构的第一表面，至少一个导电柱与第二重布线层电连接；第二芯片与第一芯片电连接，且第二重布线层与第一芯片电连接；每一堆叠层还包括靠近堆叠层的第一表面的第三重布线层，至少一个导电柱与第三重布线层电连接。
本发明授权一种封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、第一芯片和至少一层堆叠层；每一所述堆叠层包括转接板结构和至少一个芯片连接结构，所述至少一个芯片连接结构和所述转接板结构沿第二方向放置； 所述芯片连接结构包括第二芯片和第一重布线层，所述第一重布线层靠近所述芯片连接结构的第一表面；所述转接板结构包括第二重布线层和至少一个导电柱，所述第二重布线层靠近所述转接板结构的第一表面，所述至少一个导电柱与所述第二重布线层电连接；所述第二芯片与所述第一芯片电连接，且所述第二重布线层与所述第一芯片电连接； 每一所述堆叠层还包括靠近所述堆叠层的第一表面的第三重布线层，所述至少一个导电柱与所述第三重布线层电连接； 其中，所述芯片连接结构由有源芯片晶圆切割得到，所述转接板结构由转接板晶圆切割得到。
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