深圳大学袁丽获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利场效应晶体管及其制备方法、存储器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411385983.5，技术领域涉及：H10D30/69；该发明授权场效应晶体管及其制备方法、存储器、电子设备是由袁丽;綦殿禹;张文静;欧皓辉设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应晶体管及其制备方法、存储器、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种场效应晶体管及其制备方法、存储器、电子设备，所述场效应晶体管包括依次层叠设置的栅极、绝缘层、导电沟道层，以及间隔设置于所述导电沟道层背离所述绝缘层的一侧表面的源极和漏极，所述导电沟道层包括二维材料和分散在所述二维材料中的水合肼。本申请中，导电沟道层包括二维材料，水合肼进入二维材料中，提高了电荷捕获中心的数量，促进了电子移动，增强了电学回滞特性，扩大了电学回滞窗口，提高了场效应晶体管的存储性能，降低了场效应晶体管的制备成本，有利于增强存储器的数据可靠性和抗干扰能力。
本发明授权场效应晶体管及其制备方法、存储器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括依次层叠设置的栅极、绝缘层、导电沟道层，间隔设置于所述导电沟道层背离所述绝缘层的一侧表面的源极和漏极，以及设置在所述源极和所述漏极之间的导电沟道层上的水合肼层，所述导电沟道层包括二维材料和分散在所述二维材料中的水合肼，所述二维材料包括过渡金属硫族化合物； 所述场效应晶体管的制备包括：在绝缘层的一侧表面形成栅极，在所述绝缘层背离所述栅极的一侧表面形成二维材料层、源极和漏极，得到待修饰的场效应晶体管，将所述待修饰的场效应晶体管置于水合肼气氛中保持第一时间得到所述场效应晶体管。
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