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龙图腾网获悉松山湖材料实验室申请的专利非晶丝传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119335446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411361731.9，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权非晶丝传感器及其制备方法是由张超设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本非晶丝传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非晶丝传感器及其制备方法。微型非晶丝传感器包括衬底以及连接在衬底上的底层线圈、非晶丝、拱形线圈、金属焊盘、非晶丝信号引线和线圈信号引线；其中，底层线圈连接于衬底，底层线圈上设置有金属焊盘，非晶丝沿着底层线圈延伸且非晶丝端部通过底层线圈上的金属焊盘包裹实现电连接，拱形线圈的两端弯曲倾斜并延伸至连接底层线圈，拱形线圈与底层线圈之间具有由支撑材料固化形成的支撑层，拱形线圈与非晶丝之间通过支撑层隔离，非晶丝信号引线与金属焊盘电连接，线圈信号引线与拱形线圈电连接。本申请能够在保证器件一致性的前提下减小传感器体积，提高传感器生产效率，达到批量化生产微型非晶丝传感器目的。

本发明授权非晶丝传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非晶丝传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在衬底表面制备层叠连接的第一金属种子层、底层线圈以及第一金属子焊盘，将非晶丝固定在底层线圈上且所述非晶丝的两个端部分别位于所述第一金属子焊盘上； 旋涂光刻胶覆盖所述非晶丝与所述底层线圈，经过烘干、曝光、显影后，使固定在所述第一金属子焊盘上的部分所述非晶丝裸露出来，去除裸露的所述非晶丝的外层玻璃； 去除所述非晶丝与所述底层线圈上残留的光刻胶后，在所述衬底表面旋涂含有非光敏聚酰亚胺的支撑材料，烘干得到覆盖层，在所述覆盖层表面旋涂光刻胶，经过烘干、曝光、显影得到内壁呈曲面状的图形化第二凹槽，所述图形化第二凹槽将所述覆盖层分隔形成位于所述底层线圈上且包裹所述非晶丝的支撑层以及位于衬底上包裹所述底层线圈的包裹层； 去除所述支撑层与所述包裹层上残留的光刻胶，在无氧环境下烘烤所述支撑层以及所述包裹层使其亚胺化； 在所述支撑层与所述包裹层表面上制备第二金属种子层，在第二金属种子层上旋涂光刻胶，对所述支撑层及所述支撑层相邻的第二凹槽处的部分光刻胶进行烘干、曝光、显影，以裸露出部分第二金属种子层，在端部裸露的第二金属种子层上电镀制备第二金属子焊盘，所述非晶丝的端部被包裹于所述第一金属子焊盘与所述第二金属子焊盘之间，在非端部裸露的第二金属种子层上制备拱形线圈，所述拱形线圈沿着所述支撑层表面呈弯曲状延伸并覆盖于所述非晶丝，去除光刻胶后并刻蚀去除裸露出的所述第二金属种子层。

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