买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411188762.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权晶体管及其制备方法是由田文;许静设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该晶体管包括：外延片、源电极、漏电极、栅电极；外延片包括沟道层和势垒层，外延片具有有源区和无效区；漏电极位于势垒层的远离沟道层的表面上，且漏电极位于有源区内，漏电极通过第一通孔与沟道层电性连接；源电极和栅电极均位于势垒层的远离沟道层的表面上，第一部分的源电极通过第二通孔与沟道层电性连接，第二部分的源电极通过第一过孔延伸至沟道层的远离势垒层的一侧；第一部分的栅电极与势垒层相连，第二部分的栅电极通过第二过孔延伸至沟道层的远离势垒层的一侧。本公开实施例改善晶体管的适用性。

本发明授权晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：外延片20、源电极31、漏电极32、栅电极33； 所述外延片20包括依次层叠的沟道层21和势垒层22，所述外延片20具有有源区210和无效区230，所述有源区210和无效区230绝缘，所述无效区230具有贯通所述外延片20的第一过孔201和第二过孔202； 所述漏电极32位于所述势垒层22的远离所述沟道层21的表面上，且所述漏电极32位于所述有源区210内，所述势垒层22具有露出所述沟道层21的第一通孔221，所述漏电极32通过所述第一通孔221与所述沟道层21电性连接； 所述源电极31和所述栅电极33均位于所述势垒层22的远离所述沟道层21的表面上，所述源电极31的第一部分位于所述有源区210，所述源电极31的第二部分位于所述无效区230，所述势垒层22还具有露出所述沟道层21的第二通孔222，第一部分的所述源电极31通过所述第二通孔222与所述沟道层21电性连接，第二部分的所述源电极31通过所述第一过孔201延伸至所述沟道层21的远离所述势垒层22的一侧； 所述栅电极33的第一部分位于所述有源区210，所述栅电极33的第二部分位于所述无效区230，第一部分的所述栅电极33与所述势垒层22相连，第二部分的所述栅电极33通过所述第二过孔202延伸至所述沟道层21的远离所述势垒层22的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。