泉州三安半导体科技有限公司蔡家豪获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411336665.X，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由蔡家豪;黄敏;徐洪涛;庄曜玮;邓有财;陈铭欣设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括半导体叠层、设置于半导体叠层中的至少一个导电孔、以及导电孔的内侧壁上依次的绝缘层和第一键合层，半导体叠层与基板通过第一键合层和第二键合层键合，其中，对应导电孔的下方区域，第一键合层中具有孔洞，孔洞内设置有修复层，有效改善第一键合层内的空洞率，提高发光二极管的可靠性；修复层的热导率大于第一键合层的热导率，提高热量从第一键合层传导到周围环境的效率，有效降低局部热点的风险，提高发光二极管的性能；修复层的硬度大于第一键合层的硬度，提高第一键合层的机械强度，提高发光二极管的耐用性和可靠性。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 半导体叠层，所述半导体叠层由上至下包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层； 导电孔，至少一个所述导电孔设置于所述半导体叠层内，所述导电孔贯穿所述第二半导体层、所述有源层和至少部分所述第一半导体层，且所述导电孔的内侧壁依次设置有绝缘层和第一键合层，所述第一键合层穿过所述导电孔与所述第一半导体层电连接； 基板，所述基板通过第二键合层与所述第一键合层键合； 其中，对应所述导电孔的下方区域，所述第一键合层内具有孔洞，所述孔洞内设置有修复层，所述修复层的热导率大于所述第一键合层的热导率，且所述修复层的硬度大于所述第一键合层的硬度。
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