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龙图腾网获悉厦门大学;嘉庚创新实验室申请的专利一种抗静电的LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092609B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411266439.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种抗静电的LED器件及其制备方法是由毕朝霞;刘春煜;黄凯;李金钗;杨旭;张荣设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗静电的LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种抗静电的LED器件及其制备方法。器件结构依次包括：衬底层；第一半导体层；第一应力释放层；第二应力释放层；有源层；第二半导体层；电极层；还包括：第一抗静电层，位于所述第一应力释放层和第二应力释放层之间，所述第一抗静电层为n型掺杂GaN层；其中，第一半导体层和第二半导体层是导电类型相反的半导体层；第一抗静电层的硅掺杂浓度与第一应力释放层的硅掺杂浓度不同，第一抗静电层的硅掺杂浓度与第二应力释放层的硅掺杂浓度不同。本发明提供的抗静电的LED器件能有效提高LED器件的抗静电能力和电学性能，进而提高器件在各种应用中的可靠性和寿命。

本发明授权一种抗静电的LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗静电的LED器件，其特征在于，包括： 衬底层； 第一半导体层，位于所述衬底层的一侧； 第一应力释放层，位于所述第一半导体层背向所述衬底层一侧表面； 第二应力释放层，位于所述第一应力释放层背向所述第一半导体层一侧； 有源层，位于所述第二应力释放层背向所述第一应力释放层一侧表面； 第二半导体层，位于所述有源层背向所述第二应力释放层一侧表面； 电极层，位于所述第二半导体层背向所述有源层一侧的表面； 还包括：第一抗静电层，位于所述第一应力释放层和所述第二应力释放层之间，所述第一抗静电层为n型掺杂GaN层； 其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层是导电类型相反的半导体层；所述第一抗静电层的硅掺杂浓度与所述第一应力释放层的硅掺杂浓度不同，所述第一抗静电层的硅掺杂浓度与所述第二应力释放层的硅掺杂浓度不同； 所述抗静电的LED器件还包括： 第二抗静电层，位于所述第二应力释放层和所述有源层之间，所述第二抗静电层为n型掺杂GaN层； 所述有源层包括多个交替层叠的第一多量子阱层和第二多量子阱层，所述第一多量子阱层为InxGa1-XN，所述第二多量子阱层为GaN； 所述抗静电的LED器件还包括： 第三抗静电层，位于所述第一多量子阱层和所述第二多量子阱层之间；所述第三抗静电层为n型掺杂GaN层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门大学;嘉庚创新实验室，其通讯地址为：361005 福建省厦门市思明区思明南路422号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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