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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种基于绝热耦合结构的薄膜铌酸锂与聚合物异质集成波导的光功率分配器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119045118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411323148.9，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种基于绝热耦合结构的薄膜铌酸锂与聚合物异质集成波导的光功率分配器及其制备方法是由王希斌;付雨舒;张旭霖;孙士杰;李尚融;张大明设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于绝热耦合结构的薄膜铌酸锂与聚合物异质集成波导的光功率分配器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于绝热耦合结构的薄膜铌酸锂与聚合物异质集成波导的光功率分配器及其制备方法，属于平面光波导光子集成芯片及其制备技术领域。从下至上依次由硅衬底、二氧化硅氧化层、薄膜铌酸锂和聚合物加载条波导组成；聚合物加载条波导基于绝热耦合结构，由第一直波导、第二直波导、第三直波导、第四直波导、第五直波导、第一输出弯曲波导、第二输出弯曲波导、第一输出直波导和第二输出直波导组成；光从第三直波导输入，分别绝热耦合进入到第二直波导和第四直波导中，然后再分别绝热耦合进入到第一直波导和第五直波导，最后从第一输出直波导和第二输出直波导中输出，实现光功率的均匀分配。本发明具有生产成本低、效率高、能够大规模批量生产的特点。

本发明授权一种基于绝热耦合结构的薄膜铌酸锂与聚合物异质集成波导的光功率分配器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于绝热耦合结构的薄膜铌酸锂与聚合物异质集成波导的光功率分配器，其特征在于：从下至上依次由硅衬底10、二氧化硅氧化层11、薄膜铌酸锂12和聚合物加载条波导13组成；聚合物加载条波导13基于绝热耦合结构，由第一直波导1、第二直波导2、第三直波导3、第四直波导4、第五直波导5、第一输出弯曲波导6、第二输出弯曲波导7、第一输出直波导8和第二输出直波导9组成；其中，第一直波导1、第三直波导3、第五直波导5相互平行且第一直波导1和第五直波导5关于第三直波导3对称设置，第二直波导2和第四直波导4关于第三直波导3对称且倾斜设置，第一输出直波导8、第二输出直波导9和第三直波导3相互平行且第一输出直波导8和第二输出直波导9关于第三直波导3对称设置，第一直波导1、第一输出弯曲波导6和第一输出直波导8顺次连接，第五直波导5、第二输出弯曲波导7和第二输出直波导9顺次连接；第一直波导1、第二直波导2、第三直波导3、第四直波导4、第五直波导5的长度a1、a2、a3、a4、a5相等，宽度w1、w2、w3、w4、w5相等；第一输出弯曲波导6、第二输出弯曲波导7在第三直波导3方向的投影长度a6、a7相等，宽度w6、w7相等；第一输出直波导8、第二输出直波导9的长度a8、a9相等，宽度w8、w9相等；第三直波导3与第一直波导1、第五直波导5的间距S1、S2相等；第三直波导3与第二直波导2、第四直波导4在输入端的间距d1、d2相等，在输出端的间距d3、d4相等，且d3d1和d4d2；第二直波导2与第一直波导1在输入端的间距为d5，在输出端的间距为d6，且d5d6，d1+d5=d3+d6；第四直波导4与第五直波导5在输入端的间距为d7，在输出端的间距为d8，且d7d8，d2+d7=d4+d8；d5=d7，d6=d8；w8=w6=w1；作为加载条波导的聚合物的折射率低于薄膜铌酸锂12的折射率。

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