厦门大学王磊获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利检测区域形成方法、晶粒表面检测方法和晶粒表面热点判断方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119024006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411124113.2，技术领域涉及：G01Q10/00；该发明授权检测区域形成方法、晶粒表面检测方法和晶粒表面热点判断方法是由王磊;陈剑锋;郑鹏;林春;贺珊设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本检测区域形成方法、晶粒表面检测方法和晶粒表面热点判断方法在说明书摘要公布了：本申请公开了检测区域形成方法、晶粒表面检测方法和晶粒表面热点判断方法。检测区域形成方法为在集成电路版图上选择表征区域并由各表征区域形成检测区域；其中，表征区域用于表征具有相似结构的局部区域，局部区域的尺寸在0.5微米至50微米范围内。晶粒表面检测方法使用上述检测区域形成方法形成的检测区域对晶粒表面进行形貎检测。晶粒表面热点判断方法依据形貎检测的结果判断是否存在热点。采用上述方法，相较于现有技术，具有更高的检测压缩比，更有利于在产线上普及应用分辨率高的检测手段。
本发明授权检测区域形成方法、晶粒表面检测方法和晶粒表面热点判断方法在权利要求书中公布了：1.检测区域形成方法，其用于确定对经过CMP加工后的晶粒进行表面检测时的检测区域，其特征是，在集成电路版图上选择表征区域并由各表征区域形成检测区域；所述表征区域用于表征具有相似结构的局部区域，所述局部区域X轴和Y轴的尺寸在0.5微米至50微米范围内；所述检测区域形成方法包括如下步骤： 对集成电路版图上的拟测部分进行区域划分形成若干局部区域，所述拟测部分覆盖所有加工区域类群，每个加工区域类群包括具有相似结构的加工区域，所有局部区域覆盖拟测部分； 对所有局部区域基于结构的相似性进行分类获得局部区域类群； 每个局部区域类群选择至少一个局部区域作为表征区域，所有表征区域的集合形成检测区域。
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