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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411090726.9，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法是由李刚设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法，方法包括：在工艺晶圆得到深槽结构，利用透射电镜扫描测量深槽结构形貌特征；相同刻蚀条件下在参考控片进行与工艺晶圆相同的刻蚀工艺至参考控片上沟槽结构达第一预设深度；光学散射测量沟槽结构的光谱特征；建立不同测量条件下得到的沟槽结构光谱特征与深槽结构预设形貌特征的测量数据模型。本发明通过参考控片进行与工艺晶圆相同的刻蚀工艺前部分，得到与深槽结构形貌特征接近的沟槽结构，根据不同测量条件的沟槽结构光谱特征与深槽结构形貌特征建立测量数据模型，使应用中无需测量深槽结构即可获得深槽结构的形貌特征，大大提高测量深槽结构形貌特征的效率，并降低测量成本。

本发明授权一种测量数据模型的建立方法、测量方法及工艺控制方法在权利要求书中公布了：1.一种测量数据模型的建立方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤A1：提供工艺晶圆，所述工艺晶圆上通过预设的工艺条件设置有第一半导体结构；于预设刻蚀条件下通过所述第一半导体结构对所述工艺晶圆进行刻蚀工艺得到完整的深槽结构；对得到深槽结构的所述工艺晶圆进行切片后利用透射电镜扫描所述深槽结构以获取所述深槽结构的预设形貌特征； 步骤A2：提供m种不同的预设刻蚀条件、n种不同的第一半导体结构、k种不同的设置所述第一半导体结构的所述工艺条件，m、n、k均为大于等于1的整数；根据不同的所述预设刻蚀条件、所述第一半导体结构和所述工艺条件的组合确定一种以上的测量条件，在每种测量条件下重复步骤A1，获取每种测量条件对应得到的所述深槽结构的预设形貌特征； 步骤A3：提供参考控片，所述参考控片上设置有经过与所述第一半导体结构相同的所述工艺条件得到的与所述第一半导体结构相同的第二半导体结构；于与所述工艺晶圆相同的所述预设刻蚀条件下对所述参考控片进行与所述工艺晶圆相同的刻蚀工艺，至所述参考控片上得到的沟槽结构达到第一预设深度后停止；对所述沟槽结构进行光学散射测量以获取所述沟槽结构的光谱特征；所述第一预设深度为使所述沟槽结构可通过光学散射测量方法测量到与所述深槽结构对应的所述预设形貌特征的深度； 步骤A4：在步骤A2中的每种测量条件下重复进行步骤A3，以获取每种测量条件对应得到的所述沟槽结构的光谱特征； 步骤A5：根据每种测量条件对应的所述深槽结构的预设形貌特征和对应的所述沟槽结构的光谱特征建立所述测量数据模型。

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