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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利一种套刻误差测量方法、半导体工艺方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119002187B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411090719.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种套刻误差测量方法、半导体工艺方法和半导体结构是由林定群;方震宇设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种套刻误差测量方法、半导体工艺方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种套刻误差测量方法、半导体工艺方法和半导体结构，测量方法包括：提供待测量结构，包括下层结构层、中间结构层和上层结构层；下层结构层包含填充有第一材料的第一孔洞；上层结构层包括填充有光刻层的沟槽，光刻层包括曝光显影形成的第二孔洞；三层结构层分别设置有对应的套刻标记；根据套刻标记对三层结构层对应套刻坐标的位置同时曝光成像得到相邻结构层之间的套刻误差。本发明通过对三层结构的同一套刻坐标同时成像得到套刻图形，省去两次测量相邻套刻图形需要转移定位的延迟时间，提高工艺效率；同时减少由于两次测量不同套刻坐标的套刻图形所引入的变量对套刻误差产生的干扰，有利于提高产品良率。

本发明授权一种套刻误差测量方法、半导体工艺方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差测量方法，其特征在于，所述套刻误差测量方法包括： 提供待测量结构，所述待测量结构从下到上依次包括下层结构层、中间结构层和上层结构层，所述下层结构层包含第一孔洞，所述第一孔洞内填充有第一材料，所述上层结构层包括沟槽，所述沟槽内填充有光刻层，所述光刻层包括曝光显影形成的第二孔洞，所述第二孔洞位于与所述第一孔洞对应的位置，所述第二孔洞贯穿所述光刻层显露出部分所述中间结构层； 所述待测量结构有预设的套刻坐标；所述套刻坐标与待测量的所述第二孔洞的预设位置对应设置；所述下层结构层上对应所述套刻坐标的位置设置有第一套刻标记，所述光刻层上对应所述套刻坐标的位置设置有第二套刻标记，所述上层结构层上对应所述套刻坐标的位置设置有第三套刻标记； 根据所述第一套刻标记、所述第二套刻标记或所述第三套刻标记中的任意一个确定所述套刻坐标的位置，根据所述第一套刻标记、所述第二套刻标记和所述第三套刻标记确认所述下层结构层、所述光刻层和所述上层结构层，对所述套刻坐标对应位置的所述下层结构层、所述光刻层和所述上层结构层进行同时曝光成像得到一个共同套刻图形；在所述共同套刻图形中，所述下层结构层的所述第一孔洞和所述光刻层待测量的所述第二孔洞对应的图形轮廓间距为第一套刻误差，所述光刻层待测量的所述第二孔洞和所述上层结构层的所述沟槽对应的图形轮廓间距为第二套刻误差；处理曝光成像得到的所述共同套刻图形中的成像信息，得到所述第一套刻误差和所述第二套刻误差。

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