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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种位移场耦合的欧姆接触及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410975621.5，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权一种位移场耦合的欧姆接触及其制备方法是由芦浩;马晓华;陈龙;侯斌;杨凌;张濛;邓龙格;郝跃设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种位移场耦合的欧姆接触及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种位移场耦合的欧姆接触及其制备方法，包括：衬底层；依次位于衬底层上的底层栅极、栅介质层、异质结构；多个源极、漏极，均位于异质结构的表面，所有源极、所有漏极分别通过空气桥连接，每个漏极被若干源极环绕；若干TSV通孔，每个TSV通孔贯穿异质结构直至底层栅极，且在TSV通孔内壁设置有TSV介质层、在TSV通孔内设置有互联金属；若干TSV引出栅极，每个TSV引出栅极位于一TSV通孔上，且与该TSV通孔内的互联金属接触；其中，每个源极和漏极的有效宽度，以及相邻源极之间、相邻源极和漏极之间的距离通过麦克斯韦电磁理论而确定。本发明实现了位移场运输方式，使得欧姆接触具备更高的稳定性和可靠性。

本发明授权一种位移场耦合的欧姆接触及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种位移场耦合的欧姆接触，其特征在于，所述欧姆接触包括： 衬底层；依次位于所述衬底层上的底层栅极、栅介质层、异质结构； 多个源极，均位于所述异质结构的表面，所有源极通过空气桥连接； 多个漏极，均位于所述异质结构的表面，所有漏极通过空气桥连接；其中，每个漏极被若干源极环绕； 若干TSV通孔，每个TSV通孔贯穿所述异质结构，直至所述底层栅极的上表面，且在所述TSV通孔内壁设置有TSV介质层，以及在所述TSV通孔内设置有互联金属； 若干TSV引出栅极，每个TSV引出栅极位于一TSV通孔上，且与该TSV通孔内的互联金属接触； 其中，每个源极和漏极为规则多边形结构或圆形结构；每个源极和漏极的有效宽度，以及相邻源极之间、相邻源极和漏极之间的距离通过求解麦克斯韦方程而得到，从而基于麦克斯韦电磁理论实现射频场与异质结构产生的二维电子气发生耦合，达到位移场操控的效果； 每个源极和漏极的形状，以及相邻源极之间、相邻源极和漏极之间的距离通过求解麦克斯韦方程而得到的过程，包括： 根据麦克斯韦电磁理论，建立异质结构中势垒层处的麦克斯韦方程； 根据异质结构中电流连续性需求，将麦克斯韦方程重新改写； 对重新改写的麦克斯韦方程求解，当异质结构中势垒层处电场的垂直分量为0时求解得到每个源极和漏极的有效宽度，以及相邻源极之间、相邻源极和漏极之间的距离； 其中，重新改写的麦克斯韦方程公式表示为： ； 其中，表示异质结构中势垒层处电场的垂直分量，表示对求二阶导数，表示虚数单位，表示角频率，表示势垒层的介电常数，表示每个源极和漏极的面电阻，通过每个源极和漏极的有效宽度来计算得到，表示势垒层的厚度，通过相邻源极之间、相邻源极和漏极之间的距离来计算得到。

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