福州大学杨开宇获国家专利权
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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118843366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410813192.1，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法是由杨开宇;黄兴云;李福山;胡海龙;林立华设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法，属于发光二极管等发光器件技术领域。按照基板‑空穴注入层‑空穴传输层‑发光层‑电子传输层‑金属电极的顺序制备高分辨率量子点发光二极管，其中发光层的制备方法为：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将量子点通过溶液法沉积到聚合物沟槽中，在毛细效应驱动下，量子点会向聚合物沟槽内壁移动并堆积成量子点条纹，将沉积有量子点阵列的聚合物衬底转印至基板后，将基板浸入热溶剂中以将聚合物去除，留下发光量子点阵列。本发明方法操作简易，产率高，适用于高分辨率量子点发光二极管的大规模产业化生产。
本发明授权一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法，其特征在于，按照基板-空穴注入层-空穴传输层-发光层-电子传输层-金属电极的顺序制备高分辨率量子点发光二极管；所述发光层的制备方法为：首先通过热纳米压印聚合物形成条形聚合物沟槽，将量子点通过溶液法沉积到聚合物沟槽中，在毛细效应驱动下，量子点会向聚合物沟槽内壁移动并堆积成量子点条纹，将沉积有量子点条纹的聚合物衬底转印至基板后，将基板浸入热溶剂中以将聚合物去除，留下发光量子点阵列；在转印过程中，量子点在聚合物沟槽形成量子点条纹是通过毛细效应驱动自组装形成的，每条聚合物沟槽的两边内壁旁各有一条量子点条纹；在转印过程中，需要将外界温度加热至高于聚合物的玻璃化温度。
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