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龙图腾网获悉福建农林大学申请的专利一种低噪声自偏置带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118778749B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410703797.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种低噪声自偏置带隙基准电路是由罗志聪;谢晋;张佳伟设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低噪声自偏置带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低噪声自偏置带隙基准电路，属于集成电路领域。提出了一种适用于低功耗场景下的直流失调消除技术，减弱了传统带隙结构电阻网络对失调电压的影响；同时，提出了一种新型的基于翻转电压跟随器的电压自调节技术，在实现小面积的同时具备超高的电源抑制比和低噪声性能。本发明实现了一个超高电源抑制比、低噪声、低功耗的带隙基准电路，可以应用于对基准电压稳定性要求较高的场景下，成为一种有效的基准电路解决方案。

本发明授权一种低噪声自偏置带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种低噪声自偏置带隙基准电路，其特征在于，所述电路包括依次连接的电压自调节模块、启动电路、自偏置电流产生电路、自偏置跨导运算放大器和主环路； 电压自调节模块采用基于翻转电压跟随器的自偏结构，为整个低噪声自偏置带隙基准电路产生稳定的第二级电源，通过基于翻转电压跟随器的电压自调节技术消除来自电源的噪声，同时结合自偏置跨导运算放大器改善第二级电源到输出VREF的噪声，实现高电源抑制比和低噪声性能； 启动电路用于保证整个低噪声自偏置带隙基准电路的正常启动； 自偏置电流产生电路用于提供偏置电流； 自偏置跨导运算放大器用于提供跨导，并提升运放增益； 主环路通过直流失调消除技术，减弱带隙结构电阻网络对失调电压的影响； 所述电压自调节模块由晶体管M1、晶体管M2、双极型晶体管Q1、晶体管M5、电阻R1组成； 所述自偏置电流产生电路包括晶体管M7、晶体管M9、晶体管M10、晶体管M15、电阻R4、双极型晶体管Q2； 所述自偏置跨导放大器由晶体管M11、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14、晶体管M16、晶体管M17、双极型晶体管Q3、双极型晶体管Q4构成；M11的源极与M13的漏极连接，M11的漏极与M16的漏极、M13的栅极、M14的栅极连接，M11的栅极与M12的栅极、M9的漏极、M10的源极连接，M12的源极与M14的漏极连接，M12的漏极连接M17的漏极，作为自偏置跨导放大器的输出，并连接主环路，M13的源极与M14的源极相连接，M16的源极与Q3的集电极连接，M16的栅极、M17的栅极连接Q1的基极，M17的源极连接Q4的集电极，Q3的发射极连接GND，Q3的基极连接主环路，Q4的发射极连接GND，Q4的基极连接主环路；所述主环路由双极型晶体管Q5、双极型晶体管Q6、晶体管M18、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8组成；Q5的基极与Q2的基极、R5的一端、R6的一端、R8的一端连接，Q5的集电极与R5的另一端、Q3的基极、Q6的基极连接，Q5的发射极与Q6的发射极经R7连接GND，Q6的集电极与R6的另一端、Q4的基极连接，R8的另一端与M18的源极、Q1的基极连接，并作为整个低噪声自偏置带隙基准电路的输出VREF，M18的栅极与M2的栅极、M12的漏极连接，M18的漏极作为主环路的输入。

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