大连理工大学王英敏获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种高阻尼锆基非晶复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118773523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410792952.5，技术领域涉及：C22C45/10；该发明授权一种高阻尼锆基非晶复合材料及其制备方法是由王英敏;羌建兵;王慧超;王晓刚;王子鑫;黄山;米少波;房灿峰设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高阻尼锆基非晶复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种高阻尼锆基非晶复合材料及其制备方法，属于功能材料研发与制备领域，一种含有体心立方结构第二相的Snoek型高阻尼锆基非晶复合材料，其原子百分比成分通式为Zr63.5‑aMaAl9Cu23Fe4.5100‑bXb，M＝Nb、Ti或Hf，X＝O、C或B，其中0.5≤a≤4.5，0.1≤b≤0.5。制备过程中，以工业纯Zr、M、Fe、Al、Cu、N为原料，利用真空电弧熔炼技术熔制合金铸锭，通过铜模铸造技术获取所需合金材料，其阻尼性能Q‑1值为0.011～0.015。本发明的非晶基复合材料保持本身的性能优势的同时，具备高阻尼性能，拓展了非晶材料的应用领域与范围；材料具有更加优异室温塑性变形能力和断裂强度；材料中Snoek弛豫峰值温度低于非晶基体的玻璃化转变温度，材料在最佳阻尼温度下使用，合金具有优良的组织稳定性，不易发生玻璃化转变或晶化失稳。
本发明授权一种高阻尼锆基非晶复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高阻尼锆基非晶复合材料，其特征在于，所述的高阻尼锆基非晶复合材料是一种含有体心立方结构第二相的Snoek型高阻尼锆基非晶复合材料；组成元素包括Zr、M、Fe、Al、Cu、X； 其特征在于，所述的高阻尼锆基非晶复合材料的原子百分比成分通式为:Zr63.5-aMaAl9Cu23Fe4.5100-bXb，M=Nb、Ti或Hf，X=O、C或B，其中0.5≤a≤4.5，0.1≤b≤0.5。
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